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文檔簡介
1、負(fù)電子親和勢GaN光電陰極由于其量子效率高、暗電流小、發(fā)射電子能量分布集中和穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點，在紫外探測和真空電子源等領(lǐng)域有著廣泛的用途，受到了各國科研人員的廣泛重視。為了提高GaN光電陰極的光電發(fā)射性能，有必要弄清其光電發(fā)射機理，提高其量子效率方面做出相關(guān)研究。
本文圍繞GaN光電陰極的光電發(fā)射理論、梯度摻雜理論與實驗和不同結(jié)構(gòu)陰極的光電發(fā)射性能比較與分析等方面開展了相關(guān)的研究。首先介紹了GaN光電陰極的國內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r
2、，明確了需要探索和研究的內(nèi)容;其次，詳細(xì)分析了GaN光電陰極的光電發(fā)射過程，對影響量子效率的重要因素進(jìn)行了詳細(xì)的討論。研究了GaN(0001)面的Cs、O吸附機理，采用雙偶極子模型計算了表面勢壘對發(fā)射光電子能量分布的影響;接著研究了梯度摻雜GaN光電陰極的作用機理并進(jìn)行了與均勻摻雜GaN光電陰極的對比實驗，同時對梯度摻雜GaN光電陰極進(jìn)行了Cs/O激活的實驗研究;最后實驗研究了同一樣品在反射模式和透射模式下的量子效率特性對比分析，同時實
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