基于氫化物氣相外延法氮化鎵在石墨烯上的生長機理研究與表征.pdf

1、石墨烯自2004年發(fā)現(xiàn)以來，受到越來越多的關注和研究。氮化鎵作為第三代半導體的代表材料，以其優(yōu)異的電光學特性得到廣泛的應用。本論文主要研究石墨烯的生長以及利用氫化物氣相外延方法(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)在石墨烯襯底上氮化鎵薄膜的進一步生長。論文采用電子顯微鏡、X射線衍射、拉曼光譜等手段表征了石墨烯和氮化鎵薄膜的形貌以及氮化鎵材料中的位錯，采用優(yōu)化的參數(shù)得到了低缺陷密度（108cm-2數(shù)量級）的

2、氮化鎵薄膜。論文主要分為如下幾個章節(jié)進行討論：
　　第一章：介紹了課題的背景，回顧和總結了石墨烯的發(fā)現(xiàn)以及石墨烯的基本結構性質和制備方法，簡單介紹了氮化鎵的晶體結構以及生長方法和位錯類型，并介紹了目前石墨烯上生長氮化鎵薄膜的進展。由此確定了本論文的工作安排。
　　第二章：介紹了用于表征石墨烯和石墨烯上生長氮化鎵的主要技術手段方法以及儀器，包括：光學顯微鏡（Optical Microscope, OM），掃描電子顯微鏡（Sca

3、nning Electron Microscope, SEM），透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope, TEM），拉曼光譜（Raman Spectrum, RS），原子力顯微鏡（Atom Force Microscope, AFM）以及X射線衍射（X-ray Diffraction, XRD）。
　　第三章：利用 CVD方法生長石墨烯，并且進一步利用 HVPE在石墨烯上生長氮化鎵，介紹了