射頻LDMOS功率晶體管的特性研究.pdf

1、隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻功率器件的需求日益劇增。這對(duì)射頻功率器件的性能也提出更高的要求。為了實(shí)現(xiàn)應(yīng)用在移動(dòng)通訊基站和雷達(dá)等領(lǐng)域的射頻功率器件國(guó)產(chǎn)化，本論文將對(duì)硅基射頻 LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件展開(kāi)研究。
　　本文主要研究S波段射頻LDMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性，目的是設(shè)計(jì)一款工作電壓32V，工作頻率2.9GHz，功率密度大于0

2、.7W/mm，增益大于10dB的射頻LDMOS晶體管。首先，本文采用的器件結(jié)構(gòu)：采用鎢sinker結(jié)構(gòu)將器件源極引入到P型重?fù)诫s襯底；利用單層法拉第罩結(jié)構(gòu)，優(yōu)化漂移區(qū)電場(chǎng)并降低柵漏寄生電容。然后根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)，利用器件模擬軟件Silvaco仿真器件特性并確定結(jié)構(gòu)參數(shù)。為了降低器件的寄生參數(shù)和提高擊穿電壓，本文介紹一些改進(jìn)結(jié)構(gòu)。本次流片元胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：柵寬70μm雙指柵結(jié)構(gòu)，漂移區(qū)長(zhǎng)度2.8μm，法拉第罩0.8μm。流片測(cè)試結(jié)果表明：閾值電壓