高壓LDMOS射頻功率晶體管結(jié)構(gòu)設計及實驗研究.pdf

1、射頻LDMOS器件由于其高耐壓、高增益、實現(xiàn)工藝簡單等優(yōu)點，被廣泛應用于移動通訊、雷達系統(tǒng)等領域。如今射頻 LDMOS器件已經(jīng)發(fā)展到第八代，設計者們通過不斷優(yōu)化器件工藝和結(jié)構(gòu)來提高器件性能，由于國內(nèi)設計水平還無法達到國際水平，因此，開展射頻LDMOS器件的自主研制具有重大意義。
　　本論文旨在完成高壓LDMOS射頻功率晶體管結(jié)構(gòu)設計及實驗研究。特點在于提出了雙屏蔽環(huán)trench sinker LDMOS器件結(jié)構(gòu)及工藝流程。采用挖槽

2、、金屬淀積和刻蝕形成trench sinker結(jié)構(gòu)，將源極和襯底電極相連接。有效降低了器件的版圖面積，提高器件的功率密度，同時也降低了工藝過程的熱預算；雙層屏蔽環(huán)結(jié)構(gòu)采用金屬硅化物淀積和刻蝕工藝形成，兩層shield不但可以優(yōu)化器件表面電場還可以將柵漏之間的寄生電容反饋到源極，降低柵漏寄生電容，從而提高器件增益，改善高頻性能。
　　采用 Silvaco軟件對 LDMOS器件工藝流程和器件結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，并對器件的自熱效應和熱載流子效