反激變換器的傳導EMI分析與建模仿真.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、開關(guān)功率變換器作為一種重要的電源類型，廣泛應(yīng)用于工業(yè)與民用電器中。其中，反激變換器是最常見的拓撲之一，具有效率高，變壓范圍廣的特點，在電源適配器、LED驅(qū)動等場合中非常常用。但同時高頻的開關(guān)動作會造成嚴重的電磁干擾(EMI)，其對開關(guān)電源效率及安全使用的影響已成為人們關(guān)注的熱點。
　　 本文首先從干擾源，傳導路徑，接收設(shè)備三方面分析了反激變換器的傳導EMI建模特性。進而針對目前現(xiàn)有模型中出現(xiàn)的仿真精度差，模型復雜，建模周期長等缺

2、陷進行了深入研究，提出了通過對分立器件建立高頻模型的傳導EMI建模方法。利用Saber仿真軟件中的Model Architect對MOSFET與功率二極管進行高頻建模，主要關(guān)注其電容特性，同時通過諧振法獲得無源器件及變壓器模型并使用Q3DExtractor軟件對PCB寄生參數(shù)進行了提取。進而按上述方法對一實際方案進行系統(tǒng)的整體建模，并驗證了模型的準確性。最后利用模型，分析了PCB寄生參數(shù)對EMI的影響以及一些常用的干擾消除方法的機理與效

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