深PN結(jié)芯片的深溝槽腐蝕研究.pdf

1、目前用途廣泛的中大功率交直流轉(zhuǎn)換器件,均采用的是半導(dǎo)體硅整流器件,而在此類的整流器件中,從單向的0.5A到三相的200A整流,內(nèi)部的整流芯片采用的均是玻璃鈍化保護(hù)的深結(jié)擴(kuò)散的深PN結(jié)芯片。
　　本論文針對(duì)我司1200V左右的玻璃鈍化保護(hù)芯片需求，對(duì)玻璃鈍化保護(hù)芯片制作工藝中的腐蝕工序，針對(duì)腐蝕機(jī)理進(jìn)行了分析研究，分析出溝槽腐蝕后的造型會(huì)影響到芯片的反向電壓，同時(shí)會(huì)影響到玻璃披覆厚度等主要原因。而腐蝕后的溝槽造型除與光刻膠附著、光刻

2、版設(shè)計(jì)不同有關(guān)外，還與不同組分和配方的腐蝕液、以及腐蝕液的溫度、流速、振蕩等參數(shù)具有密切關(guān)系。
　　針對(duì)本公司采用 P+面腐蝕開(kāi)溝的玻璃鈍化保護(hù)制作工藝，研制出“鳥(niǎo)嘴”狀的具有正角/負(fù)角緩變結(jié)構(gòu)的深溝槽造型，用以緩解表面電場(chǎng)。但是這種兼容結(jié)構(gòu)形成了過(guò)腐蝕的溝槽造型，稱為“鳥(niǎo)嘴”。通常該位置，因其較為尖銳，玻璃鈍化時(shí)玻璃厚度較薄，不容易達(dá)到較好的保護(hù)，容易放電且芯片強(qiáng)度降低易受應(yīng)力破壞。通過(guò)對(duì)該位置形成的分析，研究不同腐蝕配方和溫度