埋入式電容器的設計及電學性能研究.pdf

1、隨著現(xiàn)在電子產(chǎn)品對運行速度和功率的要求越來越高，其在PI，SI，EMC中產(chǎn)生的問題越來越多，這些類似的問題引起各個領域工程師的廣泛關注。通過采用一些新的技術和新的工藝，例如埋入式技術，PI，SI，EMC模擬軟件等工具，這些問題逐漸得到了解決。對埋入式電容技術的需要主要包括以下一些方面:首先現(xiàn)在許多電子產(chǎn)品的芯片都需要高速運行，而且要求其運行電壓要低，在運行過程中要有很快的響應速度，較低的電壓漣波，較低的阻抗。其次現(xiàn)在電子產(chǎn)品都要求小型化

2、，最后分立電容的電性能滿足不了現(xiàn)在電子行業(yè)的要求，較高的電容密度，寬頻濾波，高頻濾波是對現(xiàn)在電子產(chǎn)品的主要要求。
　　 埋入式電容材料的選擇多種多樣，現(xiàn)在主要研究集中在純陶瓷材料和復合材料上。但由于陶瓷材料在制備過程中需要較高的溫度，而且陶瓷薄膜柔性差，制備工藝復雜，在一定程度上限制了其應用。而復合材料將有機聚合物較高的介電強度與無機材料較好的介電性能結合起來，而且復合薄膜在一定程度上保持了較好的韌性，這使得復合材料成為埋入式電