復(fù)合半導(dǎo)體(C4H9-C5H4)2N2I2的高壓穩(wěn)定性研究及晶體生長(zhǎng)新方法探索.pdf

1、由于有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體的熱和化學(xué)穩(wěn)定性較差，使得生長(zhǎng)晶體及制備薄膜器件遇到很大困難。本論文中，我們利用高壓方法，成功地改善了復(fù)合半導(dǎo)體的穩(wěn)定性。進(jìn)一步地，我們對(duì)利用高壓方法制備的復(fù)合半導(dǎo)體多晶體塊材料的結(jié)構(gòu)、在高壓下的電輸運(yùn)性質(zhì)等進(jìn)行了研究;在此基礎(chǔ)上，我們又提出了新的高等靜壓晶體生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)了大尺寸的復(fù)合半導(dǎo)體單晶材料。論文的主要結(jié)果包括:
　　1.以1,1'-二丁基-4,4'-聯(lián)吡啶與I2的配合物為研究對(duì)象，考察了在加熱過(guò)

2、程中施加高壓對(duì)該復(fù)合半導(dǎo)體熱分解現(xiàn)象的抑制作用。發(fā)現(xiàn)當(dāng)施加于樣品上的壓力達(dá)到100MPa時(shí)，復(fù)合半導(dǎo)體的熱分解現(xiàn)象被完全抑制。進(jìn)一步地，在確保樣品不發(fā)生分解的前提下，利用熱壓方法制備了多晶陶瓷片樣品，并對(duì)它的形貌和物相結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)試分析。
　　2.利用我們自行設(shè)計(jì)研制的電輸運(yùn)性能高壓原位測(cè)試設(shè)備，測(cè)試了上述陶瓷片樣品在48-288MPa等靜壓下的電流-電壓曲線，并分析了電輸運(yùn)性能的變化規(guī)律。發(fā)現(xiàn):對(duì)樣品施加高壓可以使其電阻明顯增大