IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究.pdf

1、大連理工大學(xué)博士學(xué)位論文IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究姓名：蘇建修申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：機(jī)械制造及其自動(dòng)化指導(dǎo)教師：郭東明康仁科20060701lC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究表面材料去除率模型，分析了拋光機(jī)運(yùn)動(dòng)參數(shù)對(duì)材料去除率的影響，并進(jìn)行了硅片CMP材料去除率實(shí)驗(yàn)，其實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真計(jì)算的結(jié)果基本一致。(6)根據(jù)磨粒在硅片表面上運(yùn)動(dòng)軌跡模型，分析了拋光機(jī)運(yùn)動(dòng)參數(shù)對(duì)磨粒在硅片表面運(yùn)動(dòng)軌跡分布的影響，提出了基于像素

2、統(tǒng)計(jì)原理的硅片表_匝磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡分布密度統(tǒng)計(jì)分析方法，建立了硅片內(nèi)材料去除非均勻性預(yù)測(cè)模型，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。該模型不僅可對(duì)硅片表面材料去除非均勻性進(jìn)行預(yù)測(cè)，也為設(shè)計(jì)CMP機(jī)床時(shí)選擇合理的運(yùn)動(dòng)形式和運(yùn)動(dòng)參數(shù)以及進(jìn)一步理解CMP的材料去除機(jī)理提供了理論依據(jù)。通過將硅片表面摩擦力分布非均勻性、硅片與拋光墊之間相對(duì)速度分布非均勻性和接觸壓力分布非均勻性以及磨粒在硅片表面運(yùn)動(dòng)軌跡分布非均勻性的計(jì)算結(jié)果與硅片內(nèi)材料去除非均勻性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較，