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1、PIN探測(cè)器受不同功率密度的激光輻照時(shí),會(huì)出現(xiàn)不同程度的損傷,甚至無(wú)法正常工作。本文對(duì)不同功率密度的激光輻照PIN探測(cè)器這一課題進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。首先從理論上對(duì)激光和半導(dǎo)體的相互作用和損傷閾值的測(cè)量方法做了簡(jiǎn)單的介紹。然后使用散射光能量法對(duì)PIN探測(cè)器的損傷閾值做了測(cè)量,使用CCD探測(cè)器對(duì)受不同功率密度激光輻照后的散射光的光強(qiáng)分布以及表面形貌做了觀測(cè),得到實(shí)驗(yàn)所用的PIN探測(cè)器的損傷閾值為4.1×108W/cm2,此時(shí)探測(cè)器反射率下降了
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