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文檔簡介
1、本文在真空條件下,進(jìn)行了Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4的部分瞬間液相 (PTLP) 連接和Si3N4/Ti/CuNi/Cu/Ti/Si3N4的二次PTLP連接試驗(yàn),測定了連接接頭的室溫四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。采用SEM、EDS等微觀分析手段分析了連接界面區(qū)域的元素分布和界面結(jié)構(gòu),研究了中間層厚度、連接工藝參數(shù)等對反應(yīng)層厚度和接頭室溫強(qiáng)度的影響。本文采用Ti/Cu/Ti中間層對Si3N4陶瓷進(jìn)行PTLP連接,得到了在本文試驗(yàn)范圍內(nèi),采用
2、Ti箔厚度為10μm、Cu箔厚度為250μm,在1050℃、保溫3h的試驗(yàn)條件下所得Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4連接接頭的室溫四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度最高,為209.5Mpa。研究表明:Ti箔過薄時(shí)由于不能形成連續(xù)的反應(yīng)層導(dǎo)致連接強(qiáng)度極低,但當(dāng)Ti箔過厚時(shí)則因脆性反應(yīng)層過分增厚,使連接強(qiáng)度降低;在PTLP連接時(shí),當(dāng)連接溫度和保溫時(shí)間不變,且連接時(shí)間能保證等溫凝固過程充分進(jìn)行的條件下,Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4連接界面結(jié)構(gòu)、
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