電子束輻照對(duì)LED性能影響的研究.pdf

1、LED顯著的優(yōu)點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域備受人們關(guān)注，在世界范圍內(nèi)掀起了研究的熱潮。尤其是在照明方面，照明用LED被認(rèn)為是繼白熾燈和熒光燈之后的第三代照明光源，將在節(jié)能減耗上為世界經(jīng)濟(jì)作出巨大貢獻(xiàn)。
　　 本文在詳細(xì)闡述LED的誕生、發(fā)展、工作原理，物質(zhì)的輻照原理和電子束輻照在國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)之上，提出利用電子束輻照來(lái)提高LED發(fā)光強(qiáng)度的方法。主要對(duì)電子束輻照LED使LED發(fā)光增強(qiáng)進(jìn)行研究，在大量的實(shí)驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上，探究輻照對(duì)LED

2、光學(xué)性能和電學(xué)性能的影響，以及電子束輻照對(duì)LED可靠性的影響。探究通過(guò)電子束輻照實(shí)驗(yàn)提高LED發(fā)光性能的可行性并總結(jié)使LED發(fā)光強(qiáng)度提高的電子束輻照的實(shí)驗(yàn)參數(shù)。
　　 本文所做的主要工作有：
　　 1.研究電子束輻照對(duì)紅光LED外延晶片和GaN基藍(lán)光LED外延片的熒光光譜的影響，并確定電子束輻照的功率參數(shù)。
　　 2.對(duì)小功率紅光、黃光、綠光、橙光LED芯片和GaN基藍(lán)光LED芯片進(jìn)行低能電子束輻照實(shí)驗(yàn)，對(duì)前后性