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1、納機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)器件具有高達(dá)GHz的諧振頻率、105的品質(zhì)因數(shù)、10-24牛頓的超高力靈敏度、10-17瓦的超低功率等特性,故NEMS納米梁在諧振器、混頻器、濾波器、生物化學(xué)傳感器等方面有廣闊的應(yīng)用前景,是目前國(guó)際研究的熱點(diǎn)課題之一,受到了廣泛重視。單晶硅是集成電路的主要材料,硅微加工技術(shù)和設(shè)備先進(jìn)、成熟,有強(qiáng)大的工業(yè)基礎(chǔ);同時(shí)硅材料具有較好彈性、抗疲勞等特點(diǎn),因而硅納米梁是NEMS十分基礎(chǔ)又具有代表性的納米梁之一。正是在這一前提
2、下,本文設(shè)計(jì)了一種新型硅結(jié)構(gòu)的NEMS混頻器,采用靜電驅(qū)動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)混頻。論文的工作主要集中在混頻器工藝制造和檢測(cè)上。 本論文首先給出了納機(jī)電系統(tǒng)的定義及其應(yīng)用,并在此基礎(chǔ)上概述了目前比較常見的NEMS混頻器類型及其驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)方法。詳細(xì)描述了納機(jī)電混頻器的非線性振動(dòng)理論和混頻原理。論文設(shè)計(jì)了多種納機(jī)電混頻器結(jié)構(gòu),利用中芯國(guó)際的0.18μm CMOS工藝線成功制作了二維尺寸均在亞微米尺度的NEMS混頻器,在本實(shí)驗(yàn)的超凈間完成工藝流程
3、中的金屬鋁濕法腐蝕以及結(jié)構(gòu)的濕法釋放。本論文討論了在這兩步工藝加工過(guò)程遇到的各種問(wèn)題,如附加的Ti/TiN的腐蝕、結(jié)構(gòu)過(guò)度釋放和粘附等;提出了相應(yīng)的解決方案,最終成功得到NEMS諧振器。 本論文采用Polytec激光多普勒測(cè)振儀(Laser Doppler Vibrometer,LDV)在真空和室溫的環(huán)境下對(duì)NEMS混頻器進(jìn)行動(dòng)態(tài)特性檢測(cè),激勵(lì)方式為壓電陶瓷激勵(lì)及靜電激勵(lì)。真空環(huán)境下采用LDV系統(tǒng)自帶的函數(shù)發(fā)生器提供的啁啾信號(hào)驅(qū)
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