CMOS混頻器的研究.pdf

1、隨著無線通信市場的快速發(fā)展,人們對高集成度、高性能和低成本射頻前端的需求愈發(fā)迫切。CMOS工藝能完美實(shí)現(xiàn)射頻電路模塊和數(shù)字電路模塊的兼容,滿足了高集成度的需求;并且隨著工藝水平不斷提高,晶體管的截止頻率已達(dá)到幾百吉赫茲(gigahertz);再加上CMOS工藝低成本的特性,基于CMOS工藝高頻段的射頻集成前端已然成為新興的研究熱點(diǎn)。
　　 混頻器作為射頻前端的核心電路之一,其電路性能將直接決定射頻前端的總體性能。本文將對24GH

2、z射頻前端的CMOS混頻器展開研究,此射頻前端采用兩級混頻結(jié)構(gòu),第一級混頻器把24GHz的射頻信號下變頻到高中頻4.82GHz,第二級混頻器把4.82GHz的高中頻信號下變頻到低中頻25MHz。
　　 文章首先介紹了混頻器的基本理論,包括混頻器的基本原理、主要性能指標(biāo)和常用混頻器的電路結(jié)構(gòu)。
　　 其次研究了應(yīng)用最廣泛的吉爾伯特混頻器,通過對吉爾伯特混頻器的電路模型進(jìn)行分析,掌握了選取跨導(dǎo)級晶體管和開關(guān)級晶體管設(shè)計參數(shù)的

3、方法,并且對24GHz吉爾伯特混頻器進(jìn)行了設(shè)計和仿真。
　　 再次,對CMOS混頻器的優(yōu)化技術(shù)進(jìn)行了研究,通過理論分析電流注入技術(shù)對混頻器性能的改進(jìn)作用,進(jìn)而對電路進(jìn)行設(shè)計仿真,電流注入技術(shù)對混頻器的轉(zhuǎn)換增益改進(jìn)近10dB,并且設(shè)計了性能較佳的24GHzCMOS混頻器。
　　 最后,設(shè)計了4.82GHz無源雙平衡混頻器和有源吉爾伯特混頻器。通過對比無源混頻器和有源混頻器的各項性能參數(shù),選擇無源雙平衡混頻器作為24GHz射