無(wú)源超高頻電子標(biāo)簽芯片新型架構(gòu)與設(shè)計(jì).pdf

1、超高頻無(wú)源識(shí)別技術(shù)即將迎來(lái)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展期，而被國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織納為其ISO18000-6修正標(biāo)準(zhǔn)Type C協(xié)議的EPC global Classl Gen2協(xié)議，成為現(xiàn)今超高頻無(wú)源識(shí)別技術(shù)的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。日漸統(tǒng)一的協(xié)議與日趨成熟的市場(chǎng)推動(dòng)著超高頻無(wú)源標(biāo)簽應(yīng)用的興起。
　　 本文從超高頻段無(wú)源標(biāo)簽的工作原理和通信協(xié)議出發(fā)，詳細(xì)分析了ISO18000-6 Type C協(xié)議的特點(diǎn)，并結(jié)合本人參與設(shè)計(jì)并流片成功的芯片，分析了基于Type C協(xié)

2、議設(shè)計(jì)的標(biāo)簽芯片的常見(jiàn)架構(gòu)與設(shè)計(jì)中的難點(diǎn)。本文針對(duì)普通架構(gòu)中的存在的問(wèn)題，結(jié)合現(xiàn)在超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽研究的新進(jìn)展，提出了一種新型的標(biāo)簽芯片架構(gòu)，并就此架構(gòu)給出了一個(gè)標(biāo)簽芯片射頻模擬部分的設(shè)計(jì)實(shí)例。本文還就創(chuàng)建低電壓低功耗數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)進(jìn)行了分析，給出了基于Chartered0.35um工藝設(shè)計(jì)1.8V電源電壓數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的建立方法。
　　 本文創(chuàng)新性的提出了一種新型的標(biāo)簽芯片的架構(gòu)；提出了信號(hào)處理模塊的概念，其中包含了阻抗自適

3、應(yīng)網(wǎng)絡(luò)，調(diào)制與解調(diào)，低功耗模擬方法解碼等功能，不僅提供了更高的性能穩(wěn)定性，還進(jìn)一步降低了標(biāo)簽的功耗，其中解碼部分的功耗從同步解碼的10uA降低到了模擬解碼的不到300nA。本文還對(duì)射頻模擬前端的其它模塊給出了詳細(xì)的分析實(shí)現(xiàn)，其中解調(diào)模塊、預(yù)穩(wěn)壓模塊都使用本文提出的新型結(jié)構(gòu)并有更優(yōu)良的性能表現(xiàn)?；贑hartered0.35um EEPROM工藝1.8V數(shù)字電源電壓設(shè)計(jì)的該芯片，包含解碼功能的射頻模擬前端瞬態(tài)平均功耗(包括解調(diào)整流器功耗)