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文檔簡介
1、利用金屬有機化合物氣相外延(MOVPE)設備進行了GaP/GaAs、AlGaP/GaAs、AlGaP/GaP/GaAs、ZnO/GaAs、ZnO/Si等本征或摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的低壓和常壓外延生長.利用光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡、雙晶X射線衍射儀、背散射分析等設備對以上異質(zhì)外延材料的晶體結(jié)構(gòu)完整性,如表面形貌、表面粗糙度、界面特征,以及與生物溫度、Ⅴ/Ⅲ比等生長條件的關系進行了研究;采用四探針及范得堡方法對非摻雜和Al摻雜的ZnO外延層的
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