p-i-n結(jié)構(gòu)4H-SiC紫外光電二極管單管及一維陣列的研制.pdf

1、廈門(mén)大學(xué)博士學(xué)位論文pin結(jié)構(gòu)4HSiC紫外光電二極管單管及一維陣列的研制姓名：陳廈平申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：吳正云20071101的光譜探測(cè)率D最大值為36x1014cmHzl／2]W，對(duì)應(yīng)噪聲等效功率刖妒大小為55x10‘17W，并且器件在240—320nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光譜探測(cè)率D’均保持在高于101014cmHz“2／W。光電特性測(cè)試結(jié)果表明，該光電二極管具有良好的可見(jiàn)盲特性，因此，其可在強(qiáng)的可見(jiàn)光背景下有效地

2、進(jìn)行紫外光探測(cè)。3制備出6摻雜結(jié)構(gòu)4HSiCpin紫外光電二極管并進(jìn)行性能測(cè)試，器件的光學(xué)窗口面積為200200[Mn2。電學(xué)特性顯示，在5V反向偏壓下，該光電二極管的平均暗電流密度為125pA／mm2。該紫外光電二極管在250—320nm波段呈現(xiàn)較為平坦的光譜響應(yīng)。在0V～5V范圍內(nèi)，該光電管的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)位于270nlll，響應(yīng)度為01A／W，對(duì)應(yīng)外量子效率約為497％，此時(shí)，器件的光譜探測(cè)率D‘峰值為175x1014cmHz№／W

3、，對(duì)應(yīng)噪聲等效功率NEP大小為115x10。6W，并且器件在260—310nlll波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光譜探測(cè)率D均保持在高于10x1014cmHzⅣ2／W。在10V～30V偏壓下，器件的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)位于280nna，響應(yīng)度為012A／W，對(duì)應(yīng)外量子效率約為52％。可以看出，隨著反向偏壓的增大該光電二極管的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)略有紅移，并且器件的紫外可見(jiàn)比接近三個(gè)數(shù)量級(jí)，具備了良好的可見(jiàn)盲特性。4設(shè)計(jì)版圖并制備完成pin結(jié)構(gòu)4HSiC紫外光電二極管一維