4H-SiC高壓肖特基二極管及結(jié)終端技術(shù)研究.pdf

1、碳化硅(SiC)是近十幾年來迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料之一。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Ge，Si以及GaAs相比，SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電學(xué)特性成為制造高溫、大功率、高頻微波及抗輻照電子器件的理想材料。在高頻電路和微波領(lǐng)域，具有高功率、高溫及高可靠性的4H-SiC肖特基二極管(SBD)具有廣闊的應(yīng)用前景。
　　 為了改善4H-SiC SBD的反向阻斷特性，提高器件的擊穿電壓，本文利用器件數(shù)值仿真工具對結(jié)終端擴(kuò)展(JTE)結(jié)構(gòu)的

2、4H-SiCSBD的擊穿特性進(jìn)行了研究，分析了擊穿電壓與結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系，給出了優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)參數(shù)，提出了一種優(yōu)化設(shè)計(jì)該類器件的方法。針對嚴(yán)重影響4H-SiCSBD擊穿特性的表面電場和電勢分布，通過求解二維泊松方程，建立了一個(gè)精確且簡化的JTE結(jié)構(gòu)的4H-SiC SBD的表面場分布解析模型，該模型計(jì)算結(jié)果與器件數(shù)值仿真結(jié)果基本一致，為碳化硅功率器件的JTE終端設(shè)計(jì)提供了理論基礎(chǔ)。
　　 為了比較各種終端結(jié)構(gòu)提高4H-SiCSBD擊