熒光粉Ca4LaNbM4O20-RE3+(M=W, MoRE=Eu, Pr)發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf

1、本文通過高溫固相法制備了Ca4LaNbM4O20:Eu3+(M= W,Mo)和Ca4LaNbMo4O20:Pr3+，利用X射線衍射儀表征了樣品的結(jié)構(gòu)，利用熒光光譜儀測(cè)得了樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜，討論了樣品的發(fā)光性質(zhì)。
　　紅色發(fā)光材料Ca4LaNbM4O20:Eu3+(M=W,Mo)，可以看作是CaMoO4/CaWO4和LaNbO4的固溶體．Ca4LaNbW4O20:Eu3+的激發(fā)光譜所測(cè)得的激發(fā)寬帶位于275nm．然而，隨著Mo6

2、+的含量增加，此激發(fā)寬帶也逐漸加寬，這是因?yàn)镸oO42-的電荷遷移躍遷作用．這更適合于LED芯片的應(yīng)用．Ca4LaNb(W1-xMox)4O20:Eu3+的發(fā)射光譜呈現(xiàn)兩個(gè)發(fā)射銳鋒分別位于591nm和616nm，是Eu3+的5D0→7FJ(J=1，2)紅光發(fā)射躍遷，以及位于450nm處的WO42-躍遷的發(fā)射寬帶．隨著Mo6+的含量增加，WO42-躍遷的發(fā)射寬帶的強(qiáng)度也逐漸降低．因此，可以得到純紅色的發(fā)光材料Ca4LaNbMo4O20:E

3、u3+．Eu3+的濃度對(duì)紅光發(fā)射的強(qiáng)度也存在一定的影響，隨著Eu3+濃度的增加，其紅光發(fā)射的強(qiáng)度也越來越強(qiáng)，樣品Ca4EuNbMo4O20的強(qiáng)度達(dá)到最強(qiáng)，用波長為400nm的LED芯片封裝樣品后，出現(xiàn)Eu3+的5D0→7FJ(J=1，2，…)紅光發(fā)射躍遷.
　　對(duì)Ca4LaNbMo4O20:Pr3+的晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了分析討論，其X射線衍射圖譜所呈現(xiàn)的樣品晶體結(jié)構(gòu)與CaMoO4結(jié)構(gòu)相似．在607nm檢測(cè)下所測(cè)得的激發(fā)光譜中出

4、現(xiàn)了Pr3+離子的4f→4f5d激發(fā)躍遷和NbO43-和MoO42-的電荷遷移(CTS)吸收，以及Pr3+-金屬離子的價(jià)間電荷遷移(IVCT)吸收帶；另外在420-520nm處，還觀測(cè)到屬于Pr3+離子的典型4f-4f激發(fā)躍遷，這有利于吸收LED半導(dǎo)體芯片的藍(lán)光并轉(zhuǎn)化成可見光．在452nm激發(fā)下所測(cè)得的發(fā)射光譜中，主要出現(xiàn)藍(lán)綠光(490nm)和紅光(607nm)兩種發(fā)射，分別是Pr3+的3P0→3H4和1D2→3H4的躍遷作用．在紫外2