反應(yīng)燒結(jié)制備高強SiC_W-SiC材料的研究.pdf

1、本課題將SiCw引入反應(yīng)燒結(jié)碳化硅(RBSC)體系，提出了一種制備高SiCw含量SiCw/SiC復合材料的思路，研究了材料制備工藝對SiCw/SiC復合材料顯微結(jié)構(gòu)的影響，討論了SiCw/C坯體的反應(yīng)燒結(jié)機理，對材料顯微結(jié)構(gòu)與力學性能的相關(guān)性作了研究。研究了材料的低溫燒結(jié)過程，對SiCw燒結(jié)時的溶解以及SiO_2雜質(zhì)對材料燒結(jié)的影響作了深入的討論：采用在原料中摻入納米β-SiC微粉，使其優(yōu)先溶解而起到保護SiCw的作用。燒結(jié)溫度控制在1

2、550℃以下，燒結(jié)時間在5min以下。由此而制備了SiCw含量約為25vol％，密度為2.78g/cm~3的SiCw/SiC/Si復合材料。材料的抗折強度為287MPa，斷裂韌性為5.5MPa·m~(1/2)。觀察了材料斷口的形貌，晶須的橋聯(lián)和拔出是SiCw/SiC復合材料的主要增韌機制。對比了高溫燒結(jié)時摻加SiCw和SiC顆粒的燒結(jié)情況，并在對兩種坯體的孔結(jié)構(gòu)特征的分析的基礎(chǔ)上，建立了一個燒結(jié)模型，說明了SiCw對材料燒結(jié)的促進作用。