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文檔簡介
1、<p><b> 一、緒論</b></p><p> 單片開關(guān)是國際上90年代才開始流行的新型開關(guān)電源芯片。</p><p> 隨著電子技術(shù)和微型計算機的迅速發(fā)展,促進了微型計算機控制技術(shù)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。中小規(guī)模的單片機控制系統(tǒng)在工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中的智能機電一體化產(chǎn)品得到了廣泛的應(yīng)用。目前單片機滲透到我們生活的各個領(lǐng)域,幾乎很難找到哪個領(lǐng)域沒有
2、單片機的蹤跡。導(dǎo)彈的導(dǎo)航裝置,飛機上各種儀表的控制,計算機的網(wǎng)絡(luò)通訊與數(shù)據(jù)傳輸,廣 泛使用的各種智能IC卡等等,這些都離不開單片機。更不用說自動控制領(lǐng)域的機器人、智能儀表、醫(yī)療器械了。在單片機控制系統(tǒng)的設(shè)計開發(fā)過程中,我們要突出設(shè)備的自動化程度及智能性,否則就無法體現(xiàn)控制系統(tǒng)的優(yōu)越性。 因此,單片機的學(xué)習(xí)、開發(fā)與應(yīng)用將造就一批計算機應(yīng)用與智能化控制的科學(xué)家、工程師。</p><p> 開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方
3、向,高頻化使開關(guān)電源小型化,并使開關(guān)電源進入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,推動了高新技術(shù)產(chǎn)品的小型化、輕便化。另外開關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用在節(jié)約能源、節(jié)約資源及保護環(huán)境方面都具有重要的意義。</p><p> 二、開關(guān)電源的特點及應(yīng)用</p><p> 2.1開關(guān)電源的特點 </p><p> 單片機開關(guān)電源的特點主要有 :集成度高,特性優(yōu)良,由其
4、構(gòu)成的單片開關(guān)電源,外圍電路簡單,效率高,被廣泛地應(yīng)用于中小功率開關(guān)電源中. 自問世以來,便顯示了強大的生命力.但與此同時,它也是一個高頻干擾源,它的干擾頻率不僅范圍廣,而且具有一定的幅度.在電子產(chǎn)品要求電磁兼容的時代,分析它的電磁干擾源,并采取適當措施加以抑制,是完全必要的。</p><p> 開關(guān)電源自20世紀70年代開始應(yīng)用以來,涌現(xiàn)出許多功能完備的集成控制電路,使開關(guān)電源電路日益簡化,工作頻率不斷提高,
5、效率大大提高,并為電源小型化提供了廣闊的前景。三端離線式脈寬調(diào)制單片開關(guān)集成電路TOP(Threeterminaloffline)將PWM控制器與功率開關(guān)MOSFET合二為一封裝在一起,已成為開關(guān)電源IC發(fā)展的主流。采用TOP開關(guān)集成電路設(shè)計開關(guān)電源,可使電路大為簡化,體積進一步縮小,成本也明顯降低。</p><p> 2.2開關(guān)電源的應(yīng)用</p><p> 目前,單片機開關(guān)電源的應(yīng)用
6、領(lǐng)域主要包括:辦公自動化設(shè)備;在機電一體化中的應(yīng)用;在實時過程控制中的應(yīng)用;在日常生活及家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用;在各類儀器儀表中引入單片機,使儀器儀表智能化,提高測試的自動化程度和精度,簡化儀器儀表的硬件結(jié)構(gòu),提高其性能價格比;在計算機網(wǎng)絡(luò)和通信領(lǐng)域中的應(yīng)用;單片機開關(guān)電源在醫(yī)用設(shè)備領(lǐng)域中的應(yīng)用;汽車電子產(chǎn)品;航空航天系統(tǒng)和國防軍事、尖端武器等領(lǐng)域,單片機開關(guān)電源的應(yīng)用更是不言而喻。 </p><p> 隨著電力
7、電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切,而電子設(shè)備都離不開可靠的電源,進入90年代開關(guān)電源相繼進入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域,程控交換機、通訊、電子檢測設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開關(guān)電源,更促進了開關(guān)電源技術(shù)的迅速發(fā)展。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源和線性電源相比,
8、二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長,但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點上,反而高于開關(guān)電源,這一成本反轉(zhuǎn)點。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,使得開關(guān)電源技術(shù)在不斷地創(chuàng)新,這一成本反轉(zhuǎn)點日益向低輸出電力端移動,這為開關(guān)電源提供了廣泛的發(fā)展空間。</p><p> 三、TOP開關(guān)的結(jié)構(gòu)及工作原理 </p><p> 3.1 TOP開關(guān)的結(jié)構(gòu) (圖3.1)</p>
9、<p> TOP開關(guān)集各種控制功能、保護功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體,采用TO220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān),除D、C兩引腳外,其余6腳實際連在一起,作為S端,故仍系三端器件。三個引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中,D是內(nèi)裝MOSFET的漏極,也是內(nèi)部電流的檢測點,起動操作時,漏極端由一個內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流。控制端C控制輸出占空比,是誤差放大器和反饋電流的輸入端。
10、在正常操作時,內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流,且能在輸入異常時,自動鎖定保護。源極端S是MOSFET的源極,同時是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級電路的公共接地點及基準點。</p><p> 圖3.1 TOP開關(guān)內(nèi)部工作原理框圖 </p><p> 3.2 TOP開關(guān)的工作原理 </p><p> TOP包括10部分,其中Zc為控制端的動態(tài)阻抗,RE是誤差電壓檢
11、測電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點是: </p><p> 1.前沿消隱設(shè)計,延遲了次級整流二級管反向恢復(fù)產(chǎn)生的尖峰電流沖擊; </p><p> 2.自動重起動功能,以典型值為5%的自動重起動占空比接通和關(guān)斷; </p><p> 3.低電磁干擾性(EMI),TOP系列器件采用了與外殼的源極相連,使金屬底座及散熱器的dv/dt=0
12、,從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制; </p><p> 4.電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。</p><p><b> 簡述: </b></p><p><b> 1.控制電壓源 </b></p><p> 控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動極提供偏置電壓,而控制端電流Ic
13、則能調(diào)節(jié)占空比。控制端的總電容用Ct表示,由它決定自動重起動的定時,同時控制環(huán)路的補償,Uc有兩種工作模式,一種是滯后調(diào)節(jié),用于起動和過載兩種情況,具有延遲控制作用;另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié),用于分離誤差信號與控制電路的高壓電流源。剛起動電路時由DC極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic,以便給控制電路供電并對Ct充電。 </p><p> 2.帶隙基準電壓源 </p><p> 帶隙基準電壓源
14、除向內(nèi)部提供各種基準電壓之外,還產(chǎn)生一個具有溫度補償并可調(diào)整的電流源,以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門極驅(qū)動電流。 </p><p><b> 3.振蕩器 </b></p><p> 內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電,以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波(SAW),與此同時還產(chǎn)生最大占空比信號(DMAx)和時鐘信號(CLOCK)。為減小電磁干
15、擾,提高電源效率,振蕩頻率(即開關(guān)頻率)設(shè)計為100kHz,脈沖波形的占空比設(shè)定為D。 </p><p><b> 4.放大器 </b></p><p> 誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗Zc來設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω~20Ω,典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準電壓進行比較后,輸出誤差電流Ir,在RE上形成誤差電壓UR。 </p&g
16、t;<p> 5.脈寬調(diào)制器(PWM) </p><p> 脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路,它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小,即可調(diào)節(jié)占空比D,實現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器,濾掉開關(guān)噪聲電壓之后,加至PWM比較器的同相輸入端,再與鋸齒波電壓UJ進行比較,產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。 </p><p> 6.
17、門驅(qū)動級和輸出級 </p><p> 門驅(qū)動級(F)用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSFET),使之按一定速率導(dǎo)通,從而將共模電磁干擾減至最小。漏源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。 </p><p><b> 7.過流保護電路 </b></p><p> 過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT,同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外,芯片
18、還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。 </p><p><b> 8.過熱保護電路 </b></p><p> 當芯片結(jié)溫TJ>135℃時,過熱保護電路就輸出高電平,將觸發(fā)器Ⅱ置位,Q=1,Q=0,關(guān)斷輸出級。此時進入滯后調(diào)節(jié)模式,Uc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路,需斷電后再接通電
19、源開關(guān);或者將控制端電壓降至3.3V以下,達到Uc(reset)值,再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。 </p><p> 9.關(guān)斷/自起動電路 </p><p> 一旦調(diào)節(jié)失控,關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5%占空比下工作,同時切斷從外部流入C端的電流,Uc再次進入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除,Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式,自動重新起動電源恢復(fù)正常工作。自動
20、重起動的頻率為1.2Hz。</p><p><b> 10.高壓電流源 </b></p><p> 在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下,高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置,并且對Ct進行充電。電源正常工作時S1改接內(nèi)部電源,將高壓電流源關(guān)斷。 </p><p> 當TOP開關(guān)起動操作時,在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下,漏極端有電流流入芯片,提
21、供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時,由控制端進行閉環(huán)調(diào)整,改變Ir,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,最后達到動態(tài)平衡。 </p><p> 四、TOP開關(guān)的典型應(yīng)用 </p><p> 4.1. 12V/30W小功率開關(guān)電源 </p><p> 圖4.1 12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖 </p><p>
22、 12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖如圖4.1所示。該電源特性是:簡單,直接可與220V交流電源連接,經(jīng)橋式整流電容濾波后產(chǎn)生300V直流高電壓起動開關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小,接線簡單外圍元件少。 </p><p> 該電路特點是利用三極管Q1,二極管D8及電阻R5、R6組成過低壓保護電路,當輸入電壓降低到一定程度時,Q1導(dǎo)通,控制端C電位降低,TOP開關(guān)關(guān)閉,開關(guān)電源沒有輸出。 </p>
23、<p><b> 1.輸入電路 </b></p><p> 電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后產(chǎn)生300V直流高壓起動開關(guān)電源工作。 </p><p> 2.電源變換器部分 </p><p> 在該電路中,T2為高頻變壓器,其中 </p><p> N1為初級繞組(35T) </p&
24、gt;<p> N2為反饋繞組(15T) </p><p> N3為次級隔離輸出繞組(7T)</p><p> 開關(guān)電源工作后,反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOP開關(guān)控制極C,以調(diào)整TOP開關(guān)內(nèi)部PWM占空比。當因某種原因如負載變輕引起輸出電壓升高時,N2電壓將升高,即流入TOP開關(guān)控制端C的電流增加。在振蕩電路的控制下,漏極端D有電流流入芯片,提供開環(huán)輸入,該
25、輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器,由控制端進行閉環(huán)調(diào)整,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,使其占空比線性減小,從而使輸出電壓下降,最后達到動態(tài)平衡,保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位,減少漏感抗引起的漏極端電壓畸變。在實際繞制高頻電源變壓器時,為了減小漏感的影響,可采用初級與次級相互交叉的繞制方法。同時,采用自我屏蔽作用較為良好的罐
26、形磁芯,將線圈都用磁芯封在里邊。 </p><p><b> 3.反饋控制回路 </b></p><p> 電容C6決定軟起動恢復(fù)時間,C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點。R4阻值過小,限流線性差,容易導(dǎo)致TOP開關(guān)損壞;過大則調(diào)整線性差。在實驗中取值為10kΩ </p><p><b> 4.輸出回路 </b
27、></p><p> N3、D10、C8、D11構(gòu)成輸出回路。肖特基勢壘整流二極管D10對高頻變壓器次級的高頻方波電壓進行整流,經(jīng)低ESR值的電解電容濾波及雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管D11削峰穩(wěn)壓后,提供給負載電路。R7既可改善電源本身的輸出阻抗,又能小幅度地調(diào)整輸出電壓的范圍,同時又可在電源空載時為電容C8提供放電回路。R7取值為430Ω。</p><p> 4.2 12.5V
28、/25W精密開關(guān)電源 </p><p> 12.5V/25W精密開關(guān)電源原理圖如圖4.2所示。由TOP204構(gòu)成隔離式+12.5V、2A(25W)開關(guān)電源電路,該電源的特性為:當交流輸入電壓U從85V變化到265V時,電壓調(diào)整率為±0.2%;當負載電流從10%(0.2A)變化到100%(2A)時,負載調(diào)整率也達±0.2%,可與線性集成穩(wěn)壓電源相媲美。該電路的主要特點是利用一片TL431(IC
29、3)與光電耦合器(IC2)構(gòu)成外部誤差放大器。它再與片內(nèi)誤差放大器配合使用,對控制電流進行精細調(diào)整,從而大大提高了穩(wěn)壓性能。</p><p> 圖4.2 5V/25W精密開關(guān)電源原理圖</p><p> 五、單片開關(guān)電源的電磁干擾源</p><p> 與普通開關(guān)電源一樣,單片開關(guān)電源首先將工頻交流整流為直流,再逆變?yōu)楦哳l(100kHz或者132 kHz,取決
30、于所選芯片)方波(理想情況下),最后經(jīng)過輸出整流濾波電路,得到穩(wěn)定的直流電壓輸出,因此自身含有大量的諧波干擾,同時由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復(fù)電流造成的尖峰,都形成了潛在的電磁干擾源.</p><p> 5.1 整流電路的諧波干擾</p><p> 開關(guān)電源中,工頻交流電流經(jīng)過整流橋后,不再是單一頻率的電流,而是單向脈動電流,其波形如圖5.1所示,除了一直流分量之外,還包含一
31、系列高頻諧波的交流分量.這些高頻諧波會沿著傳輸電路產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾和輻射干擾,一方面,它使前端電源線上的電流發(fā)生畸變,另一方面,通過電源線,產(chǎn)生射頻干擾,使接收機產(chǎn)生干擾。</p><p> 圖5.1 單向脈動電流</p><p> 5.2 高頻變壓器造成的干擾</p><p> 高頻變壓器是開關(guān)電源中完成電壓變換、電氣隔離、能量存儲的重要部件,與此同時它的漏感也
32、是形成尖峰干擾的重要原因.理想的MOSFET的波形是方波(不考慮變壓器的漏感和開關(guān)管的上升和下降時間),本身就含有大量的高次諧波,實際工作中,由于變壓器漏感的作用還會產(chǎn)生電壓關(guān)斷尖峰,如圖5.2所示.當開關(guān)管從‰ 轉(zhuǎn)換到 的瞬間,一部分能量沒有從一次繞組傳輸N-次繞組,而是儲存在漏感中.這部分能量釋放形成帶有尖峰的衰減振蕩,疊加在關(guān)斷電壓上,形成關(guān)斷電壓尖峰.這種瞬變是一種傳導(dǎo)型電磁干擾,它既影響變壓器初級,還會使傳導(dǎo)干擾返回配電系統(tǒng),
33、造成電網(wǎng)諧波電磁干擾,從而影響其他設(shè)備的安全和經(jīng)濟運行.</p><p> 圖5.2 MOSFET 關(guān)斷波形</p><p> 5.3 輸出整流二極管的尖峰干擾</p><p> 一般的二極管就是一個PN結(jié)(肖特基二極管除外),二極管導(dǎo)通時,在P區(qū)和N區(qū)分別有電子和空穴兩種少數(shù)載流子存儲,當突然反加電壓時,存儲電荷在反向電場的作用下將被復(fù)合掉或者回到己方區(qū)域,
34、這樣便形成了反向恢復(fù)電流, 其波形如圖5.3,其中,一0是反向最大恢復(fù)電流, 是二極管的反向恢復(fù)電壓.由于引線電感、次級漏感以及二極管的結(jié)電容,在關(guān)斷電壓上疊加了一個衰減振蕩電壓,從而形成了關(guān)斷電壓尖峰.</p><p> 圖5.3 反向恢復(fù)電流</p><p> 5.4 電磁干擾的電路模型</p><p> 電磁干擾按其傳播途徑可以分為共模干擾和差模干擾.共
35、模干擾存在于電源內(nèi)部任一相線與大地或者中線對大地之間的干擾,即電源導(dǎo)線與地之間的干擾.差模干擾存在于相線與相線之間或者相線與中線之間,即載流導(dǎo)體之間的干擾。</p><p> 六、對單片開關(guān)電源的電磁干擾的抑制</p><p> 6.1 共模干擾電路模型 </p><p> 共模干擾主要是漏源極電壓和輸出整流二極管電壓VD2產(chǎn)生的.圖6.1中,CU 是與交流電
36、源輸入端相并聯(lián)的耦合電容,CBD~CBD4~ 是整流橋中4只整流管的等效電容.c 為輸入濾波電容,其等效串聯(lián)電感和等效串聯(lián)電阻分別用LES-RES表示 。</p><p> 圖6.1 共模干擾電路模型</p><p> 6.2 電磁干擾的抑制 (如圖6.2)</p><p> 差模干擾電路模型任何電磁干擾都是由電磁干擾源、耦合途徑、干擾接收機三個必須因素組成,
37、相應(yīng)的電磁干擾的抑制可以采取3個方面的技術(shù),1)減小電磁干擾源的干擾能量(如吸收回路);2)破壞電磁干擾路徑(如濾波);3)采用屏蔽.</p><p> 圖6.2 差模干擾電路模型</p><p> 6.3 采用EMI濾波器 </p><p> 濾波是抑制電磁干擾最有效的方法,在電源進端采用圖6.3所示的EMI濾波電路,它對共模干擾和差模干擾都能很好的抑制作用
38、.L1 L2 CX 用于濾除差模干擾信號;L3 L4 CY1 CY2 用于濾除共模干擾信號.L3 L4 要求圈數(shù)相同,在同一磁芯上繞兩個匝數(shù)相同的線圈.電源往返電流在磁心中產(chǎn)生大小相等,方向相反的磁通,因此對于差模信號電感不起作用,但對于相線與地線間的共模信號,呈現(xiàn)為一個大電感.EMI濾波器安裝時,盡量遠離輸出級,以免濾波元件上的干擾會串入輸出電路.</p><p> 圖6.3 EMI 濾波器</p&g
39、t;<p> 6.4 改善開關(guān)管的波形</p><p> MOSFET的高速開通與關(guān)斷時間雖使開關(guān)電源有更高的效率,但也帶來了高頻輻射和傳導(dǎo)發(fā)射方面的危害,因此需要對MOSFET管的電壓波形進行“整形”.為此,在變壓器原邊繞組并聯(lián)如圖6.4a和6.4b所示電路.MOSFET截止瞬間,超快恢復(fù)二極管導(dǎo)通,線圈中貯存的能量將從并聯(lián)回路釋放,抑制了要出現(xiàn)在MOSFET兩端的電壓尖峰.</p>
40、;<p> 圖6.4a TVS鉗位電路 圖6.4b RC鉗位電路 圖6.5 輸出二級濾波電路</p><p> 6.5 輸出二極管電壓尖峰抑制</p><p> 單片開關(guān)電源一般采用肖特基二極管或者超快恢復(fù)二極管作為輸出整流管,輸出二極管瞬態(tài)有很高的di/dt,一方面可以并聯(lián)RC吸收回路,另一方面輸出濾波電容中的等效電感削弱了電容的高頻旁路作用
41、,可以增加二級濾波(如圖6.5).濾波電感L一2.2~4.7 ,在 <1A時,可采用由非晶態(tài)合金磁性材料制成的磁珠,大電流時選用磁環(huán)繞制而成的扼流圈,濾波電容G可按120~F/3S V來?。?lt;/p><p><b> 6.6 其他措施</b></p><p> 交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓,也是形成瞬態(tài)干擾的一個方面,為此,在交流進線端并聯(lián)壓敏電阻器,對浪涌電壓
42、進行吸收;為了減小瞬態(tài)峰值電流,應(yīng)在初、次級繞組之間繞3~5層0.05 rnln厚的聚酯絕緣膠布,使高頻變壓器的分布電容降低;采用金屬外殼對電源進行電磁干擾的屏蔽。</p><p><b> 結(jié) 束 語</b></p><p> 由于TOP芯片內(nèi)部完全集成了SMPS的全部功能,所以利用它設(shè)計出的開關(guān)電源周期短,成本低,對于小功率電源,簡單,體積小,重量輕。由TOP
43、Switch構(gòu)成的單片開關(guān)電源雖然是一個強的干擾源,但只要根據(jù)其電磁干擾的成因,總可以采取相應(yīng)的措施,對其進行抑制,從而實現(xiàn)單片開關(guān)電源電磁兼容的目的.隨著TOP開關(guān)系列的不斷發(fā)展與改進,其在開關(guān)電源及其它應(yīng)用領(lǐng)域中必將有著更加燦爛的前景。</p><p> 開關(guān)電源已成為計算機發(fā)展和應(yīng)用的一個重要方面,單片機應(yīng)用的重要意義還在于,它從根本上改變了傳統(tǒng)的控制系統(tǒng)設(shè)計思想和設(shè)計方法。從前必須由模擬電路或數(shù)字電路實
44、現(xiàn)的大部分功能,現(xiàn)在已能用單片機通過軟件方法來實現(xiàn)了。此外在開發(fā)和應(yīng)用過程中我們更要掌握技巧,提高效率,以便于發(fā)揮它更加廣闊的用途。 </p><p><b> 致 謝 辭</b></p><p> 論文的寫作是枯燥艱辛而又富有挑戰(zhàn)的。在老師的諄諄誘導(dǎo)、同學(xué)的出謀劃策及家長的支持鼓勵,是我堅持完成論文的動力源泉。在此,我特別要感謝我的導(dǎo)師xx老師。從論文的選題、
45、文獻的采集、框架的設(shè)計、結(jié)構(gòu)的布局到最終的論文定稿,從內(nèi)容到格式,從標題到標點,她都費盡心血。沒有xx老師的辛勤栽培、孜孜教誨,就沒有我論文的順利完成。</p><p> 其次,感謝機電學(xué)院的各位同學(xué),與他們的交流使我受益頗多。最后要感謝我的家人以及我的朋友們對我的理解、支持、鼓勵和幫助,正是因為有了他們,我所做的一切才更有意義;也正是因為有了他們,我才有了追求進步的勇氣和信心。</p><
46、p> 最后,想致以在百忙之中抽身來評閱我的論文的各位專家、教授致以最衷心的感謝!由于時間倉促,水平有限,論文中難免有不完善之處,真誠地希望各位專家、教授對我的論文提出寶貴意見!</p><p><b> 謝謝!</b></p><p><b> 參考文獻</b></p><p> [1]蔡美琴.MCS-51單
47、片機系統(tǒng)及其應(yīng)用.北京:高等教育出版社,1992 </p><p> [2]徐梅. 單片機系統(tǒng)常用抗干擾措施, 高校實驗室工作研究, 2006, 4.</p><p> [3]李廣弟,朱月秀,王秀山.單片機基礎(chǔ).北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2001.7 </p><p> [4]孫涵芳.MCS-51/96系列單片機原理及應(yīng)用.北京:北京航空航天大學(xué)出版社,
48、1996</p><p> [5]萬光毅,嚴義,邢春香.單片機實驗與實踐教程[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2006.4</p><p> [6]胡連柱, 姜寶山. 簡析單片機軟硬件的抗干擾設(shè)計技術(shù), 安徽電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報, 2005,01.</p><p> [7]何利民,單片機應(yīng)用技術(shù)選編。北京:北京航空航天大學(xué)出版社 1990</p&
49、gt;<p> [8]徐仁貴,微型計算機接口技術(shù)及應(yīng)用。北京:機械工業(yè)出版社,1998</p><p> [9]何利民,單片機高級教程,北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2000</p><p> [10]陳寶江,MCS單片機應(yīng)用系統(tǒng)實用指南。北京:機械工業(yè)出版社,1997</p><p> [11] Switching Power Supply
50、Design -Abraham I. Pressman [12] Switchmode power supply handbook - Keith H. Billings</p><p> [13] C K Tse, S C Wong,MH L Chow.On Lossless Switched -Capacitor Power Converters[J]. IEEE Trans on Power Elect
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