gis局部放電

1、GIS局部放電局部放電局部放電既是GIS絕緣劣化的征兆和表現(xiàn)形式，又是絕緣進(jìn)一步劣化的原因。由于絕緣擊穿的后果經(jīng)常比較嚴(yán)重，因而受到國(guó)內(nèi)外的關(guān)注。顯然，對(duì)GIS進(jìn)行局部放電檢測(cè)能夠有效地發(fā)現(xiàn)其內(nèi)部早期的絕緣缺陷，以便采取措施，避免其進(jìn)一步發(fā)展，提高GIS的可靠性。它還可以彌補(bǔ)耐壓試驗(yàn)的不足，通過局部放電在線監(jiān)測(cè)能發(fā)現(xiàn)GIS制造和安裝的“清潔度“，能發(fā)現(xiàn)絕緣制造工藝和安裝過程中的缺陷、差錯(cuò)，并能確定故障位置，從而進(jìn)行有效的處理，確保設(shè)備的

2、安全運(yùn)行。因此，開展GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)研究具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。目錄目錄?GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)方法?GIS局部放電產(chǎn)生的原因?GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)中存在的問題?GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)國(guó)內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩rGIS局部放電在線監(jiān)測(cè)方法局部放電在線監(jiān)測(cè)方法?GIS局部放電在線監(jiān)測(cè)方法人們隨著GIS在電力系統(tǒng)中的重要性的提高，為保證GIS長(zhǎng)期可靠運(yùn)行，對(duì)其絕緣診斷也愈來愈得到重視。作為判斷GIS絕緣狀況的有效手段，GIS中局部放電的檢測(cè)技術(shù)也

3、迅速發(fā)展起來。局部放電測(cè)量的方法很多，都是根據(jù)局部放電過程中所發(fā)生的物理和化學(xué)效應(yīng)，通過測(cè)量局部放電所產(chǎn)生的電荷交換、能量的損失、發(fā)射的電磁波、發(fā)出的聲和光以及生成一些新的生成物等信息，來表征局部放電的狀態(tài)。這些信息總結(jié)起來有電信息和非電信息兩大類，由此局部放電測(cè)量方法可以分為電測(cè)法和非電測(cè)法兩大類，其具體主要可分為以下五種方法：(1)耦合電容電容法：又稱為脈沖電流電流法，它利用貼在GIS外殼外殼上的電容電極耦合探測(cè)局部放電在導(dǎo)體芯上引

4、起的電壓變化。該方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于實(shí)現(xiàn)。但是在現(xiàn)且并未接觸時(shí)，放電最可能發(fā)生，且放電可能性比同樣微粒但為固定物時(shí)高10倍左右；(3)傳導(dǎo)部分接觸不良。例如靜電屏蔽和其它其它浮動(dòng)部件。由松動(dòng)或浮動(dòng)部件產(chǎn)生的放電可能性很大，通常易于檢測(cè)，放電趨向于反復(fù)，其放電電荷在nC到gC間轉(zhuǎn)變。(4)絕緣子制造時(shí)造成的內(nèi)部空隙和實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)引起的表面痕跡，還包括或是因電極的表面粗糙或是來自制造時(shí)嵌入的金屬微粒。此外因環(huán)氧樹脂與金屬電極的收縮系數(shù)不同，也會(huì)形

5、成氣泡或空隙。這些GIS的絕緣缺陷類型極有可能會(huì)在GIS中產(chǎn)生局部放電，在絕緣體中的局部放電甚至?xí)g絕緣材料絕緣材料，進(jìn)一步發(fā)展成為樹枝，并最后導(dǎo)致絕緣擊穿。一般來說，由于各種缺陷引發(fā)的局部放電具有以下特征：在電場(chǎng)不均勻時(shí)，在導(dǎo)體周圍易于發(fā)生電暈放電，由于氣體中的分子是自由移動(dòng)的，因此GIS設(shè)備中的電暈放電過程與空氣中的電暈放電相似，在施加電壓的正負(fù)峰值附近發(fā)生PD脈沖，隨電壓增加，PD脈沖加大，頻度增加。GIS設(shè)備中絕緣子內(nèi)部的氣隙

6、放電在工頻正負(fù)半周內(nèi)基本相同，即正負(fù)半周放電指紋基本對(duì)稱。放電脈沖一般出現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)電壓幅值絕對(duì)值的上升部分，放電頻率依賴與所加電壓大小，只有在放電強(qiáng)烈時(shí)，才會(huì)擴(kuò)展到電壓絕對(duì)值下降部分的相位上，且每次放電的大小不相等。絕緣子缺陷在出廠時(shí)可能并不出現(xiàn)，但在運(yùn)輸及安裝過程中有可能造成損傷。一些缺陷最初可能無害，只是在機(jī)械振動(dòng)和靜電力作用下可能輕微移動(dòng)，形成潛在的隱患。絕緣子表面的缺陷(如污穢等)有助于電荷的增加，可能會(huì)形成表面放電，導(dǎo)致絕緣子表

7、面的絕緣劣化，甚至擊穿。其放電特征是：在電流最大相位過零時(shí)發(fā)生小電荷的PD脈沖，隨著電壓上升有不規(guī)則的脈沖出現(xiàn)。自由導(dǎo)電微粒和固體導(dǎo)體上金屬突起放電的相位分布有著明顯不同。這個(gè)特征通?？梢杂脕韰^(qū)分缺陷的類型。固體導(dǎo)體上金屬突起放電由于導(dǎo)電粒子不浮動(dòng)，其放電特征是：在施加電壓峰值附近發(fā)生大PD脈沖，隨電壓上升PD電平不變，頻度增加。GIS設(shè)備中自由導(dǎo)電微粒有積累電荷能力，在交流電壓作用下，靜電力可使導(dǎo)電微粒在GIS筒內(nèi)跳動(dòng)，如直立旋轉(zhuǎn)、舞