外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

1、太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)版本記錄版本記錄CNPVDongyingPhotovoltaicPowerCompanyLimitedChinaREVDEIONOFCHANGEPREPAREDDATEAPPROVEDDATE文件名稱AInitialReleaseYangXiaowuMay2nd2009ChaudaryMay2nd2009太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件號(hào)文件號(hào)PARTN

2、O:CNPVPSMS0009NADRAWNBY:REV:BVChaudaryASHEET1OF1PHOTOCOPYINGPHOTOCOPYINGNOTNOTALLOWEDALLOWEDCONTROLLEDCONTROLLEDCOPYCOPY受控文件，嚴(yán)禁拷貝受控文件，嚴(yán)禁拷貝產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格PRODUCTTECHINICALSPECIFICATION文件號(hào)文件號(hào)SPEC.NUMBER:CNPVPSMS0009版本版本REVISI

3、ON:A文件名稱文件名稱:太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)太陽能晶體硅組件外觀檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)VISUALINSPECTIONSPECIFICATIONFCRYSTALLINESPVMODULESLAMINATES日期日期DATE:May2009作者BVChaudaryPage2of12Add:Shengli(Victy)IndustryParkDongyingCityShongProvinceP.R.China：pvEmail：chaudary@

4、cnpvTel:00865467795053Fax:008654677957775、檢驗(yàn)項(xiàng)目及要求說明1：有的表示有圖例，圖號(hào)為相應(yīng)的項(xiàng)目號(hào)；每項(xiàng)條款超出Q1、Q2、Q3的，均視為不合格品，需要返工或報(bào)廢。2：拒收項(xiàng)目可參考相關(guān)圖片，不作專門文字說明。5.1電池片檢驗(yàn)項(xiàng)目Q1Q2Q35.1.1外形尺寸A5.1.1.1單晶125125(0.5)mmφ150(0.5)mm；單晶156156(0.5)mmφ195(0.5)mm；多晶15615

5、6(0.5)mmA5.1.1.2主柵線、背電極或有別上述直徑φ時(shí)按供應(yīng)商圖紙a5.1.1.1單晶125125(0.5)mm單晶多晶156156(0.5)mma5.1.1.2主柵線、背電極按供應(yīng)商圖紙電性能合格的5.1.2減反射膜A5.1.2.1深藍(lán)色、中藍(lán)色、淡藍(lán)色（見封樣）A5.1.2.2顏色均勻一致，無明顯顏色過渡的區(qū)域明顯色差的單個(gè)面積≤6mm2總面積≤20mm2A5.1.2.3在邊沿細(xì)柵線之外的色差面積≤80mm2A5.1.2.

6、4水紋片，水紋痕跡比實(shí)際封樣輕微的。A5.1.2.5減反射膜不允許脫落(4個(gè)吸盤印除外)a5.1.2.1超出Q1要求，但是單片電池≤2種顏色電性能合格的5.1.3崩邊、缺角A5.1.3.1不良部分距離主柵線A≥5mm，2個(gè)不良間距C≥30mm，崩邊如果小于0.5mm2，沒有這個(gè)要求A5.1.3.2崩邊尺寸≤110mm或1.53mmA5.1.3.3缺角尺寸≤11.5mm每組件不超過6個(gè)一個(gè)組件中允許1個(gè)缺角≤15mm0.510mmA5.1

7、.3.4不允許有V形缺角a5.1.3.1不良部分距離主柵線A≥2mm，總計(jì)3個(gè)不良間距C≥30mm崩邊如果小于1mm2，沒有這個(gè)要求a5.1.3.2崩邊尺寸≤120mm或者25mma5.1.3.3缺角尺寸≤1.53mm，每組件不超過20個(gè)一個(gè)組件中允許1個(gè)缺角≤25mm110mma5.1.3.4留在組件里的缺角距離其他帶電體距離大于0.5mma5.1.3.5V字型缺口在邊沿細(xì)柵線之外電性能合格的5.1.4受光面臟污StainsA5.1.