電力電子技術(shù)試題20套及答案

1、11考試試卷考試試卷(1)卷一、填空題（本題共一、填空題（本題共8小題，每空小題，每空1分，共分，共20分）分）1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，_________損耗會成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為________

2、_____，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為_________調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為____________調(diào)制。4、面積等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開關(guān)速度最快的是_________，單管輸出功率最大的是_____________，應(yīng)用最

3、為廣泛的是___________。6、設(shè)三相電源的相電壓為U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即，其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為逆變，如果接到負(fù)載，則稱為逆變。8、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路(用V1VD1V2VD2表示)。(1)0~t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為________；(2)t1~t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_

4、______；(3)t2~t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_______；(4)t3~t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_______；(5)t4~t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_______；35、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（）A、30～150B、0～120C、15～125D、0～1506、桓流驅(qū)動電路中加速電容C的作用是（）A、加快功率晶體管的開通B、延緩功率晶體管的關(guān)斷C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護(hù)器件7、直流斬波電路是

5、一種（）變換電路。A、ACACB、DCACC、DCDCD、ACDC8、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時(shí)間，桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用（）A、dudt抑制電路B、抗飽和電路C、didt抑制電路D、吸收電路9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）A、減小至維持電流以下B、減小至擎住電流以下C、減小至門極觸發(fā)電流以下D、減小至5A以下10、IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（）A、GTR驅(qū)動的MOSFETB、MOSFET驅(qū)動的