電力電子技術試題及答案

1、《電力電子技術》試卷（第1頁，共4頁）系別_________________班級____________________________考試號__________________姓名______________…………………………………………………………密…………………………………………………………封……………………………………………………………………線…………………………………………………………德州科技職業(yè)學院機電系14級機電專業(yè)期末

2、考試試題《電力電子技術電力電子技術》試卷題號一二三四合計分數(shù)閱卷人得分一、選擇（每題一、選擇（每題1.5分，共分，共60分）分）1、晶閘管內(nèi)部有（）個PN結。A、1B、2C、3D、42、晶閘管在電路中的門極正向偏壓（）越好。A、越大B、越小C、不變D、越穩(wěn)定3、晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（）來表示的。A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬時值4、雙向晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（）個電極。A、一個B、兩個C、三個D、四個

3、5、下列電力半導體器件電路符號中，表示IGBT器件電路符號的是（）6、比較而言，下列半導體器件中開關速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比較而言，下列半導體器件中開關速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比較而言，下列半導體器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比較而言，下列半導體器件中輸入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、

4、GTRD、GTO10、下列半導體器件中屬于電流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆變電路輸出頻率較高時，電路中的開關元件應采用（）A、晶閘管B、單結晶體管C、電力晶體管D、絕緣柵雙極型晶體管12、電力場效應管MOSFET適于在（）條件下工作A、直流B、低頻C、中頻D、高頻13、要使絕緣柵雙極型晶體管導通，應（）A、在柵極加正電壓B、在集電極加正電壓C、在柵極加負電壓《電力電子技術》試卷（第3頁，共4

5、頁）系別_________________班級____________________________考試號__________________姓名______________…………………………………………………………密…………………………………………………………封……………………………………………………………………線…………………………………………………………A、9001800B、350900C、0090026、不屬于換流方式的是（

6、）A、器件換流B、電網(wǎng)換流C、單相換流D、負載換流27、通過附加的換流裝置，給欲關斷的器件強迫施加反向電壓或反向電流的換流方式稱為()A、器件換流B、電網(wǎng)換流C、單相換流D、強迫換流28、串聯(lián)諧振式逆變器屬于（）A、電壓型B、電流型C、電阻性29、并聯(lián)諧振式逆變器屬于（）A、電壓型B、電流型C、電阻性30、通過變流器把直流電能變成某一頻率或可調(diào)頻率的交流電能直接供給負載，稱為（）A、有源逆變B、無源逆變C、整流D、反饋31、并聯(lián)諧振式逆

7、變器的換流（）電流并聯(lián)A、電感與電阻B、電感與負載C、電容與電阻D電容與負載32、（）是依靠專門的換流回路使晶閘管在需要的時刻關斷A、負載振蕩式換流B、強迫換流C、可關斷晶閘管換流D、大功率晶體管換流33、雙向晶閘管內(nèi)部有（）個PN結A、3B、4C、5D、634、交流調(diào)壓是把不變的交流電壓變換成（）可調(diào)的交流電壓A、最大值B、有效值C、瞬時值D、可調(diào)值35、單相交流調(diào)壓電路帶電阻性負載時，控制角α的移相范圍為（）A、00600B、009

8、00C、001800D、00270036、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中（）觸發(fā)靈敏度最高。A、ⅠB、ⅠC、ⅢD、Ⅲ37、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變（）的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動，達到移相控制的目的A、控制電壓B、控制電流C、同步電壓D、脈沖變壓器變比38、晶閘管是一種既具有（），又具有整流作用的大功率半導體器件A、穩(wěn)壓B、濾波C、開關作用D、變壓39、交流調(diào)壓電路是維持（）不變，只改變輸出電壓幅值的電路A、電流B、功率C、電壓D、頻率4