南京航空航天大學電工電子考研復習題整理

1、第十四章第十四章半導體器件半導體器件3007在PN結中形成空間電荷區(qū)的正、負離子都帶電，所以空間電荷區(qū)的電阻率（A）。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半導體的電阻率11023型號為2CP10的正向硅二極管導通后的正向壓降約為（C）。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V15039電路如圖1所示，已知U=6V，u=18sintV，波形如圖2，二極管正向導通時的壓降可忽略不計，則二極管兩端電壓uD的波形為圖3中（）。22061溫度穩(wěn)

2、定性最好的穩(wěn)壓管是（A）。(a)穩(wěn)定電壓UZ=6V的管子(b)穩(wěn)定電壓UZ6V的管子(c)穩(wěn)定電壓U6V的管子23064穩(wěn)壓管的動態(tài)電阻rZ是指（B）。(a)穩(wěn)定電壓與相應電流IZ之比(b)穩(wěn)壓管端電壓變化量UZ與相應電流變化量IZ的比值(c)穩(wěn)壓管正向壓降與相應正向電流的比值24065動態(tài)電阻rZ是表示穩(wěn)壓管的一個重要參數，它的大小對穩(wěn)壓性能的影響是（B）。(a)rZ小則穩(wěn)壓性能差(b)rZ小則穩(wěn)壓性能好(c)rZ的大小不影響穩(wěn)壓性能

3、34084晶體管的主要特點是具有（B）。(a)單向導電性(b)電流放大作用(c)穩(wěn)壓作用35086如果改變晶體管基極電壓的極性，使發(fā)射結由正偏導通改為反偏，則集電極電流（B）。(a)反向(b)近似等于零(c)不變(d)增大36088晶體管處于截止狀態(tài)時，集電結和發(fā)射結的偏置情況為（B）。(a)發(fā)射結反偏集電結正偏(b)發(fā)射結、集電結均反偏(c)發(fā)射結、集電結均正偏(d)發(fā)射結正偏，集電結反偏38091晶體管的穿透電流ICEO是表明（A）

4、。(a)該管溫度穩(wěn)定性好壞的參數(b)該管允許通過最大電流的極限參數(c)該管放大能力的參數39093表明晶體管質量優(yōu)劣的主要參數是（）。第十五章第十五章基本放基本放大電路大電路20146下列各電路中能實現交流電壓放大的是圖（B）。80167固定偏置單管交流放大電路的靜態(tài)工作點Q如下圖所示，當溫度升高時工作點Q將(B)。(a)不改變(b)向Q移動(c)向Q移動90168單管放大電路如圖所示，其交直流負載的正確畫法是圖2中的(A)。110