全芯片設(shè)計高性能電驅(qū)動熱點檢測的解決方案外文翻譯（譯文）

1、12 1中文 中文 5380 字出處： 出處：Quality Electronic Design (ISQED), 2012 13th International Symposium on. IEEE, 2012: 223-227全芯片設(shè)計高性能電驅(qū)動熱點檢測的解決方案 全芯片設(shè)計高性能電驅(qū)動熱點檢測的解決方案使用一種新的裝置參數(shù)匹配技術(shù) 使用一種新的裝置參數(shù)匹配技術(shù)Rami F. Salem，Mohamed Al

2、-Imam，Abdelrahman ElMously，Haitham Eissa，Ahmed Arafa，and Mohab H. Anis，Mentor Graphics CorporationThe American University in Cairo摘要 摘要——隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，IC 設(shè)計已成為一個非常復(fù)雜的過程。設(shè)計師不僅要考慮正常設(shè)計和參數(shù)布局，而且還要保證全芯片的功能和設(shè)計程序在工業(yè)生產(chǎn)過程中不受到

3、影響。在目前的工業(yè)生產(chǎn)過程中，設(shè)計師會通過大量的模擬來找出設(shè)計參數(shù)的可能變化取值范圍并作為依據(jù)來設(shè)計全芯片的功能。與此同時，對芯片布局需要進行一個非常耗時的感知模擬（如光刻模擬）過程，從而會影響整個設(shè)計周期的時間。在本文中，我們提出了一個快速的物理布局可制造性設(shè)計（DFM），對全芯片設(shè)計時利用載流子檢測出熱點區(qū)域，無需廣泛的電氣和過程模擬。新算法的提出是為了開發(fā)一種新解決方案。我們是利用 45 納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)用 FIR（有限脈沖響應(yīng)）對芯

4、片進行檢查。所提出的方法是能夠定義一個位于 FIR（有限脈沖響應(yīng)）關(guān)鍵路徑經(jīng)歷 17%的直流電流值的變化帶來的影響的過程和設(shè)計背景的電熱點列表。用傳統(tǒng)的電氣和過程模擬需要幾小時，與之相比使用 FIR 對全芯片進行檢測的總時間大約只需要 3 分鐘。關(guān)鍵詞：流程的變化， 可制造性設(shè)計（DFM），光刻變化，應(yīng)力影響，電氣可制造性設(shè)計（E-DFM）， 集成電路參數(shù)成品率，電熱點。12 3圖 1。從布局到 SPICE 實例參數(shù)在本文

5、中，我們提出了一個新的電感知裝置參數(shù)匹配技術(shù)。SPICE 模型表示的裝置參數(shù)包含不同的信息模塊，如布局的幾何形狀，設(shè)計背景和鄰近效應(yīng)的工藝變化，以及相關(guān)電氣信息（圖 1）。我們的方法是使用載流子和可制造性電感知解決方案，用來解決全芯片集成電路參數(shù)成品率的問題。快速和完全自動化的 CAD 流程包括了一些關(guān)鍵的功能，如下：. 工藝和電感知熱點分析. 超快電氣 DFM（e-DFM）的解決方案省去了全芯片模擬過程. 自動化的目標驅(qū)動的設(shè)計方案.

6、 處理不同類型的工藝參數(shù)變化的能力：光刻影響、化學(xué)機械拋光(CMP)的影響、應(yīng)力的影響等等。本文的其余部分安排如下：第二部分描述了在整個過程中用流程圖和計算程序來實現(xiàn)發(fā)動機的功能。為了驗證其有效性，提出的方法是用 FIR 濾波器檢測，最后，我們在第四部分總結(jié)并提出了未來的發(fā)展方向。II. II. 流程圖概述：設(shè)計環(huán)境感知和電驅(qū)動的 流程圖概述：設(shè)計環(huán)境感知和電驅(qū)動的 DFM DFM 解決方案 解決方案圖 2 所展示的是 DFM 解決方案