半導(dǎo)體外文翻譯--半導(dǎo)體制造過程控制和監(jiān)測(cè)工廠全框架

1、中文 中文 5439 字畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文資料翻譯學(xué) 院： 專 業(yè)： 過程裝備與控制工程 姓 名： 學(xué) 號(hào)： 外文出處： Journal of Process Control 2006,16:179~191 附 件：1

2、.外文資料翻譯譯文；2.外文原文。指導(dǎo)教師評(píng)語：簽名： 年 月 日(用外文寫)[44]提供了一個(gè)機(jī)會(huì)，改善及時(shí)性和實(shí)用性測(cè)量的數(shù)據(jù)。通常一個(gè)現(xiàn)代化的工廠具有相當(dāng)多的的測(cè)量數(shù)據(jù)可供分析和控制：（1）在工具層面，實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)反映了設(shè)備的健康狀況和提供反饋并實(shí)時(shí)控制; （2）綜合測(cè)量和在線測(cè)量數(shù)據(jù)的幾何尺寸可進(jìn)行后期處理，有輕微的計(jì)量延遲; （3）樣品和最終電氣測(cè)試（電子測(cè)試）提供數(shù)據(jù)與中期或長(zhǎng)期的電性能時(shí)間延

3、遲，但他們最重要的信息制造業(yè)的成效。先進(jìn)的控制手段與優(yōu)化方法應(yīng)盡量在所有的信息的使用綜合等級(jí)的高效率生產(chǎn)和嚴(yán)格的產(chǎn)品質(zhì)量控制。監(jiān)測(cè)和控制的半導(dǎo)體制造 程序已經(jīng)在一些美國(guó)的大學(xué)和工業(yè)研究實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出來。 作為代表的有 U.C.伯克利[28,32]對(duì)統(tǒng)計(jì)建模與控制等離子蝕刻機(jī)，密歇根實(shí)時(shí)運(yùn)行多變量控制[22]，以及麻省理工學(xué)院在不同的傳感器和控制技術(shù)[7,8]。由于缺乏現(xiàn)場(chǎng)傳感器大部分控制開發(fā)工作從運(yùn)行（R2R）控制策略[12,41]。在

4、馬里蘭大學(xué)研究小組貢獻(xiàn)的運(yùn)行區(qū)控制[2,5,53]。領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商協(xié)會(huì) SEMATECH 發(fā)布了在等離子設(shè)備故障檢測(cè)和診斷的幾種基準(zhǔn)問題[4]。自適應(yīng)非線性 R2R 控制問題被提出。模型預(yù)測(cè)適用于 R2R控制并具有額外的處理能力，可以明確的設(shè)定系統(tǒng)參數(shù)[19]。美國(guó)德州大學(xué)奧斯汀分校，我們已經(jīng)開發(fā)（一）穩(wěn)定的條件和多變量 EWMA 的調(diào)整方針雙控制 EWMA 的計(jì)量延誤[20,21]， （二）多元統(tǒng)計(jì)監(jiān)測(cè)的區(qū)域貿(mào)易協(xié)定和蝕刻機(jī)[52

5、,51]， （三）多元統(tǒng)計(jì)控制從光刻技術(shù)的計(jì)量數(shù)據(jù)光盤[14]。其他新的發(fā)展，控制和故障檢測(cè)是在最近由 Sematech組織的 Spie 會(huì)議和 AEC/APC 的專題討論會(huì)上由德爾卡斯蒂略和赫爾維茨[15]和莫恩等總結(jié)的[34]。制造公司，像 AMD，英特爾，摩托羅拉，德州儀器和小的應(yīng)用廠商像Applied Materials, Brooks-PRI Automation, and Yield Dynamics 是使用 APC 的技術(shù)

6、生產(chǎn)線的領(lǐng)頭人。 在本文中，我們說明如何區(qū)分半導(dǎo)體類比制造工廠和化學(xué)工廠并提出一個(gè)分層優(yōu)化控制系統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓廠控制。示意圖如圖 1，這個(gè)理論是由秦和桑德曼首先提出的[38]。裝備水平控制涉及的工具自動(dòng)反饋控制參數(shù)和小規(guī)模運(yùn)行控制使用的綜合計(jì)量。第二個(gè)層次的運(yùn)行控制涉及在線測(cè)量的前饋使用和反饋控制。第三個(gè)層次是島嶼控制。層次結(jié)構(gòu)的頂層是工廠全控制，這是最高級(jí)別的優(yōu)化，通過重新計(jì)算所需的最優(yōu)幾何目標(biāo)而把消耗控制在劑量較低的水平。該文件的組織