半導體晶體部分晶面布拉格角

1、GB/T 1555—XXXX7附錄A（資料性附錄）半導體晶體部分晶面布拉格角半導體晶體部分晶面布拉格角。表 1 硅、鍺、砷化鎵對于 CuKα X 射線衍射的布拉格角θ反射平面HKL布拉格角θ硅（a=5.43073 Å ±0.00002 Å ）鍺(a=5.6575 Å ±0.00001 Å )砷化鎵(a=5.6534 Å ± 0.00002 Å）11

2、1 14º14 13º39´ 13º40´220 23º40´ 22º40´ 22º41´311 28º05´ 26º52´ 26º53´400 34º36´ 33º02´ 33º03´331 38º

3、13´ 36º26´ 36º28´422 44º04´ 41º52´ 41º55´注：波長λ=1.54178 Å ，a為晶格常數(shù)值。表 2 碳化硅對于 CuKαX 射線衍射的布拉格角θ反射平面HKL布拉格角θ4H-SiC單晶（a=4.3596 Å ±0.00002 Å ）6H-SiC單晶(

4、a=3.0806 Å ±0.00001 Å )100 16.774 º /004 17.835 º /110 29.997 º 30.076 º201 35.611 º /008 37.880 º /101 / 17.091 º006 / 17.794 º00,12 / 37.827 º211 / 50.1 º

5、;注：波長λ=1.5406 Å ，a為晶格常數(shù)值。表 3 氮化鎵對于 CuKαX 射線衍射的布拉格角θ反射平面HKL布拉格角θ氮化鎵（a=3.185 Å ±0.00002 Å ）002 17.285 º004 34.495 º006 63.047 º100 16.196 ºGB/T 1555—XXXX8110 18.422 º102 24.048

6、º103 31.717 º104 41.026 º105 52.503 º204 54.588 º注：波長λ=1.5406 Å ，a為晶格常數(shù)值。表 4 磷化銦和氮化鋁對于 CuKαX 射線衍射的布拉格角θ反射平面HKL布拉格角θ磷化銦單晶（a=5.8687 Å ±0.00002 Å ）氮化鋁單晶(a=3.11 Å)400 31.7