磁控濺射制備氮化銅及錳摻雜氮化銅薄膜的研究.pdf

1、氮化銅薄膜具有良好的光電性能，其具有低溫熱分解性、高電阻率,且無毒、原材料價格便宜,常溫下在空氣中非常穩(wěn)定的特點。
　　本文采用射頻反應磁控濺射制備氮化銅薄膜，研究其在不同濺射功率下薄膜的結晶、光學、電學等性質(zhì)與薄膜結構、濺射功率的關系，進一步探究了制備硅基底氮化銅薄膜制備的最優(yōu)化條件，并進一步的分析了其更深層的變化規(guī)律和機理。為進一步改進制備氮化銅的工藝，甚至摻雜改性提供方向。我們借用 X射線衍射儀對所得的氮化銅薄膜的樣品進行結

2、構表征；用掃描電子顯微鏡對樣品的表面形貌進行觀測、分析；采用了四探針測電阻率的方法分析了薄膜的電阻率；最后使用紫外可見分光光度計測量薄膜的反射光譜以分析其的光學特性,進一步分析了的研究了制備的薄膜樣品的電學性質(zhì)。
　　該論文還通過磁控濺射對錳摻雜氮化銅的制備、對其結構、電學性質(zhì)、力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和磁學性質(zhì)進行了研究。通過制備條件選擇氮化銅最優(yōu)結構，為錳摻雜條件的確定奠定了基礎，XRD分析表明，所有這些材料組成了氮化銅晶體的反Re