氮化銅薄膜的光存儲應用研究.pdf

1、氮化銅薄膜是一種亞穩(wěn)態(tài)的半導體材料，它是以共價鍵結合的，它的晶體是反三氧化錸型簡立方的結構，氮化銅薄膜還具有較好的光電性能，它具有低溫熱分解的特性、較高的電阻率、無毒且原材料的價格便宜,在常溫下的空氣中很穩(wěn)定的特點，這使它成為近年來微電子半導體和光存儲等領域中新型的應用材料。光存儲是受到光存儲器的表面介質影響的，在光存儲器上面有許多凹凸不平的小坑，當光照射到上面會出現(xiàn)不同的反射，計算機接收后轉化為0和1的二進制信號就是光存儲的原理。因此

2、，針對氮化銅薄膜的這些特性進行光存儲器的設計、制備及性能研究是非常有意義的。
　　本文首先對基于氮化銅薄膜的光存儲器的進行了設計，它們分別是基于氮化銅薄膜的一次寫入型光盤、基于氮化銅薄膜的一次寫入型雙面光盤和基于氮化銅薄膜的一次寫入型。然后，研究了它們利用磁控濺射的方法進行制備的具體過程。最后，對基于氮化銅薄膜的一次寫入型光盤的樣品進行了記錄數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)的性能研究，對記錄數(shù)據(jù)前后的光存儲器進行了記錄信息前后X射線衍射譜(XRD)