復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文有序組裝超薄膜的鐵電性研究姓名李淑紅申請學(xué)位級別碩士專業(yè)光學(xué)指導(dǎo)教師馬世紅20030516有序組裝超薄膜的鐵電性研究摘要回線，說明它們都具有鐵電性，并且它們各自對應(yīng)的剩余極化強度大小分別為9400180650770450和15GCM2。由此可以推知BEMN和M獷...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 白雪皚皚 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 9人氣
本論文主要針對FRAM用PZT鐵電薄膜進行了研究，對薄膜厚度和晶粒尺寸與薄膜的鐵電性和極化反轉(zhuǎn)電流的關(guān)系進行了實驗和理論分析。對控制薄膜不同取向生長的機理進行了探討，并對薄膜結(jié)晶取向?qū)﹁F電性和疲勞的影響進行了討論。通過傳統(tǒng)退火和快速退火方式，成功的制備了...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 苦淚 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 9人氣
湖北大學(xué)碩士學(xué)位論文KNNSTO的弛豫鐵電性能姓名張永光申請學(xué)位級別碩士專業(yè)凝聚態(tài)物理學(xué)指導(dǎo)教師楊昌平曹萬強20080501ABSTRACT1一XNAO．5硒．5NB03XSRTI031一XKNNXSTOFERROELECTRICRELAXORSWEREPREPAREDBYSOLIDSTATEREACTION．1XKNNXSTOSHOWPUREPEROVSKITESTRUCTUREF...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 大多與我無關(guān) / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 7人氣
與傳統(tǒng)的EEPROM和FLASH揮發(fā)性存儲器相比，非揮發(fā)性鐵電存儲器（FERAM）具有抗輻射、低功耗、快速讀寫操作、低操作電壓等優(yōu)異特性，從而更適合嵌入式應(yīng)用的要求。本論文對應(yīng)用于鐵電隨機存儲器的關(guān)鍵組成部分PZT鐵電薄膜進行了第一性原理計算以及對PZT薄膜電容制備工...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 別說愛我 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 13人氣
復(fù)鐵電性的磁電子材料可以在電場和磁場作用下誘導(dǎo)出磁化、電極化的現(xiàn)象這類材料同時具有鐵電和鐵磁材料的性能可以應(yīng)用到傳感器波導(dǎo)器件轉(zhuǎn)換器相位倒相器變頻器調(diào)節(jié)器等在無線電電子學(xué)光電子學(xué)微波電子學(xué)等領(lǐng)域的發(fā)展具有重要意義這些材料很少存在于自然界中為了達到...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 發(fā)尾都羞愧 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 4人氣
在當(dāng)今高速發(fā)展的信息社會，信息存儲器件對材料提出了更高的要求。對于高密度鐵電隨機存儲器（FERAM）來講，BIFEO3是一個非常有發(fā)展前景的材料。BIFEO3的鐵電居里轉(zhuǎn)變溫度為1104K，剩余極化值（PR）高達100ΜCCM2，而且是一種環(huán)境友好型材料。研究發(fā)現(xiàn)，由于外延應(yīng)力...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 不要拒絕我 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 11人氣
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下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 想說就大倒苦水 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 3人氣
本論文利用射頻磁控濺射的方法分別制備了FECA、FEBA、BACA三個系列的單摻及其共摻的LINBO3薄膜。利用XRD、XPS、XAFS、SQUID、AGILENT4294A阻抗分析儀和TF2000鐵電分析儀等結(jié)構(gòu)表征及分析方法系統(tǒng)的研究了所有摻雜LINBO3薄膜樣品的結(jié)構(gòu)及鐵電鐵磁性能。主要內(nèi)容有（1...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Sinner罪人 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
鐵電存儲器FERAM作為新一代的非揮發(fā)性存儲器跟其他的傳統(tǒng)存儲器相比具有很大的優(yōu)勢和十分廣闊的應(yīng)用前景鐵電薄膜是鐵電存儲器最核心的部分之一制備高性能的鐵電薄膜是鐵電存儲器能夠得到廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)。本文在PT111TISIO2SI100基底上利用化學(xué)溶液沉積法CSD成功制備...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 朝朝 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
低維自旋阻挫系統(tǒng)由于其豐富的物理內(nèi)涵以及有限溫度下呈現(xiàn)的有趣熱力學(xué)行為而受到了廣泛的研究。作為新型功能材料的分子磁性材料和多鐵性材料，其中的許多化合物都與自旋阻挫緊密聯(lián)系，因此對這類化合物的研究不僅有利于對阻挫現(xiàn)象的理解而且對于實際材料的設(shè)計以及...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 一山雜物 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 8人氣
BIFEO3作為少數(shù)在室溫下具有鐵電和反鐵磁性質(zhì)的鈣鈦礦型材料之一在信息存儲、自旋電子器件和傳感器等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。本學(xué)位論文通過脈沖激光沉積PLD技術(shù)在單晶SRTIO3基片上以LA065SR035MNO3作為底電極生長了BIFEO3薄膜對其晶體結(jié)構(gòu)及其鐵電性質(zhì)進行了研究論...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 安穩(wěn) / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 7人氣
采用溶膠凝膠技術(shù)結(jié)合快速熱處理RTA及復(fù)合熱處理工藝在PTTISIO2SI襯底上制備出不同擇優(yōu)取向的GD、YB及GD與NB復(fù)合摻雜PBZR052TI048O3鐵電薄膜簡記為PGZT、PYZT、PGNZT，1MOL％GD摻雜的PZT薄膜簡記為PGZT1，以此類推。熱分解以及RTA熱處理溫度對鈣鈦礦相摻雜PZT薄膜的...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 眼中星光嘴角笑意 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
作為代表性的高K材料，氧化鉿HFO2已被廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)。最近采用特殊工藝制備的摻雜HFO2薄膜被發(fā)現(xiàn)具有明顯的鐵電性質(zhì)。新型鐵電材料與硅基CMOS集成電路工藝良好的兼容性對于集成鐵電學(xué)的發(fā)展具有重要意義，預(yù)期將帶來鐵電存儲器研究的新突破。與鈣鈦礦型鐵電材...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 月圓了殘 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 27人氣
近年來，鐵電薄膜已成為新型功能材料及微器件的研究熱點。然而，可靠性問題如疲勞和印記被認為是器件應(yīng)用的障礙。因此，理解這些失效的物理機制對鐵電材料以及鐵電薄膜存儲器的應(yīng)用和提高鐵電材料及微器件的性能都是非常重要的。鐵電體的自發(fā)極化是鐵電材料的一個重...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 略 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 16人氣
多鐵性材料具有自發(fā)磁電耦合的性質(zhì)，對發(fā)展基于鐵電磁性集成效應(yīng)的新型信息存儲處理及磁電器件等技術(shù)具有巨大的應(yīng)用潛力。近些年，由于實驗技術(shù)的改進及理論研究的完善，使人們再一次拾起了對這個古老而又年輕課題的研究興趣，其中具有阻挫結(jié)構(gòu)的多鐵性材料由于其豐...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 想跟你鬼混 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
鐵酸鉍BIFE03是一種在室溫下同時具有鐵電性和磁性的典型的單相多鐵性材料。鐵電性與磁性之間存在的磁電耦合效應(yīng)可以實現(xiàn)鐵電性和磁性的相互調(diào)控，在信息存儲器、傳感器、自旋電子學(xué)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但是，鉍離子的揮發(fā)和氧空位的產(chǎn)生導(dǎo)致難以制備出純相的B...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 作嘔 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
鉍層狀結(jié)構(gòu)鐵電體BLSFS鐵電薄膜由于在鐵電非揮發(fā)存儲器、熱釋電器件以及壓電器件領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景而成為國際功能材料領(lǐng)域的研究熱點。它具有優(yōu)良的壓電、鐵電、熱釋電和電光等性能同時還具有較高的耐擊穿強度和相對高的介電常數(shù)可廣泛應(yīng)用于動態(tài)隨機存儲器DY...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 只是你 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 13人氣
鐵電存儲器具有高密度、高讀寫速度、低功耗、低成本等優(yōu)點被學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界公認為最有潛力的下一代存儲器之一。隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展對非揮發(fā)存儲器如鐵電場效應(yīng)晶體管FERROELECTRICELECTRICFIELDEFFECTTRANSISTFEFET存儲器的需求與日俱增從而導(dǎo)致了對新的存儲器材料的...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 歸來鶴 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 6人氣
中圈料孽艘求犬璽UNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHN0109YOFCHINA■．』■LI．一J～論文題目作者姓名學(xué)科專業(yè)導(dǎo)師姓名BIFE03基固溶體的制備及其≥乏鐵電性和磁性研究覃燕鳳凝聚態(tài)物理楊杰研究員完成時間三里二仝千}鼻＼廠．、／1F、___～0，II、●／／叫一．／，I．RJ～●...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畫月下獨酌 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 21人氣
在過去半個世紀的時間里，以硅集成電路為核心的微電子技術(shù)取得了突飛猛進的發(fā)展。半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高，伴隨而來的是其基本構(gòu)成單元MOS器件特征尺寸的不斷縮小。當(dāng)MOS器件從微米尺度進入到納米尺度時，由短溝道效應(yīng)和量子效應(yīng)所引發(fā)的一系列問題變得不容忽視...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 山有木兮之阿 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
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