納秒YAG脈沖激光燒蝕鍺的等離子體特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,主要是通過改變輻照激光參數(shù)(激光波長、脈寬和能量密度等)、背景環(huán)境(背景氣體種類及氣壓)和靶材(固體、液體和氣體)等對激光誘導(dǎo)等離子體的特性進(jìn)行研究。目前針對金屬材料的激光誘導(dǎo)等離子體特性的研究較多,而對半導(dǎo)體材料研究很少。半導(dǎo)體鍺(Ge)由于在紅外技術(shù)、光纖通信及太陽能電池等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,特別是在軍事光電對抗方面具有重要的應(yīng)用前景,因此需要了解和掌握高功率激光輻照Ge誘導(dǎo)等離子體的特性。
  本論文基于研究不同環(huán)境

2、條件下不同波長激光誘導(dǎo)Ge等離子體的光譜,開展了激光誘導(dǎo)等離子體特性研究。主要工作為:
  大氣環(huán)境下,分別利用波長為1064nm和355nm的納秒脈沖激光輻照Ge靶材,采用時空分辨發(fā)射光譜研究了激光脈沖能量對激光誘導(dǎo)Ge等離子體特性的影響,給出不同激光波長條件下,譜線強(qiáng)度、譜線半高寬度和等離子體電子密度等等離子體參數(shù)隨能量的變化及時空演化規(guī)律;真空環(huán)境下,利用波長為1064nm的納秒脈沖激光輻照Ge靶材,利用時間和空間分辨發(fā)射光

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