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文檔簡介
1、高頻射頻識別(Radio Frequency Identification, RFID)技術的應用領域近年來不斷拓展,并逐漸與傳感器技術、生物醫(yī)療技術、物聯(lián)網(wǎng)技術等進行集成。不斷新興的復雜應用提高了對高頻RFID標簽攜帶數(shù)據(jù)量及通信速率的要求,因此高通信速率高頻RFID標簽芯片具有廣闊的應用前景。本文研究了無源高速HF RFID標簽芯片的實現(xiàn),采用UMC0.18μm Embedded EEPROM1.8V/5V2P6M LLP工藝完成了
2、模擬前端中整流電路、穩(wěn)壓電路、時鐘產(chǎn)生電路中CPPLL的設計實現(xiàn)。
首先,本文分析了傳統(tǒng)高頻RFID系統(tǒng)(ISO/IEC15693、ISO/IEC14443 Type A/B標準)的ASK調(diào)制方式及其對提高高頻RFID系統(tǒng)通信速率的制約,提出了采用片段循環(huán)(Segment Circle)8PSK調(diào)制方式的方法實現(xiàn)高速高頻RFID,并對無源高速高頻RFID標簽芯片的架構進行了設計。
然后,設計了NMOS柵交叉連接結構的
3、整流電路,其PCE達到47.54%。此外設計了 LDO結構的低功耗穩(wěn)壓電路輸出穩(wěn)定的1.8V電源電壓,其最大負載電流可達1mA,空載下的靜態(tài)電流小于2μA,負載調(diào)整率小于3%,線性調(diào)整率小于0.5%,溫度系數(shù)為538.4ppm,低頻PSR值低至-50dB。
最后,采用Top-Down的方法完成了時鐘產(chǎn)生電路中的三階二類CPPLL的設計。采用MATLAB數(shù)學建模和Verilog-AMS行為級建模研究了鎖相環(huán)的環(huán)路特性。采用復位延
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