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1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人類社會已經(jīng)進入了以電腦廣泛應(yīng)用為標志的信息時代，人們對信息存儲容量的要求越來越高。以磁性金屬為介質(zhì)的磁記錄器件的記錄密度越來越高，目前商用HDD存儲密度一般為20Gbit/in2，最高的已達52.3Gbit/in2，而實驗室的記錄密度已達到1Tbit/in2以上。高的存儲密度必然要求器件有高的靈敏度，所以在這方面的科學(xué)研究是當今的一個熱點之一。上世紀80年代末Baibich等在Fe/Cr金屬多層膜中發(fā)現(xiàn)了磁電阻效應(yīng)
2、，稱之為巨磁電阻(GMR)，在此基礎(chǔ)上1991年Dieny研制出的自旋閥結(jié)構(gòu)，在較小的磁場下就可以獲得較大的GMR效應(yīng)。1975年Julliere發(fā)現(xiàn)Fe/Ge/Co隧道結(jié)中存在磁電阻效應(yīng)，被稱為隧道磁電阻(TMR)。與通常的金屬多層膜相比，鐵磁層/絕緣層/鐵磁層結(jié)構(gòu)的磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)具有高內(nèi)阻、低功耗、輸出電壓高的特點，其具有廣泛的應(yīng)用前景。 論文采用離子束濺射和磁控濺射裝置制備了鐵磁層/絕緣層/鐵磁層結(jié)構(gòu)的鐵磁隧道結(jié)，采用四探
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