鐵磁隧道結(jié)磁電阻及轉(zhuǎn)換特性的研究.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人類社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入了以電腦廣泛應(yīng)用為標(biāo)志的信息時(shí)代，人們對(duì)信息存儲(chǔ)容量的要求越來越高。以磁性金屬為介質(zhì)的磁記錄器件的記錄密度越來越高，目前商用HDD存儲(chǔ)密度一般為20Gbit/in2，最高的已達(dá)52.3Gbit/in2，而實(shí)驗(yàn)室的記錄密度已達(dá)到1Tbit/in2以上。高的存儲(chǔ)密度必然要求器件有高的靈敏度，所以在這方面的科學(xué)研究是當(dāng)今的一個(gè)熱點(diǎn)之一。上世紀(jì)80年代末Baibich等在Fe/Cr金屬多層膜中發(fā)現(xiàn)了磁電阻效應(yīng)

2、，稱之為巨磁電阻(GMR)，在此基礎(chǔ)上1991年Dieny研制出的自旋閥結(jié)構(gòu)，在較小的磁場下就可以獲得較大的GMR效應(yīng)。1975年Julliere發(fā)現(xiàn)Fe/Ge/Co隧道結(jié)中存在磁電阻效應(yīng)，被稱為隧道磁電阻(TMR)。與通常的金屬多層膜相比，鐵磁層/絕緣層/鐵磁層結(jié)構(gòu)的磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)具有高內(nèi)阻、低功耗、輸出電壓高的特點(diǎn)，其具有廣泛的應(yīng)用前景。 論文采用離子束濺射和磁控濺射裝置制備了鐵磁層/絕緣層/鐵磁層結(jié)構(gòu)的鐵磁隧道結(jié)，采用四探