納米磁性材料磁光和磁電阻特性的數值計算.pdf

1、本文采用數值計算的方法研究了納米磁性材料的磁光科爾效應和磁電阻效應。主要內容安排如下：　　1.首先介紹磁光效應的基本知識和測量裝置圖，特別介紹了磁光科爾效應的三種機制和相應的測量配置。然后介紹了磁電阻效應的一些基本知識和研究背景，主要介紹了顆粒膜的巨磁電阻效應。在第二章中重點介紹了4×4矩陣法和蒙特卡羅方法。　　2.其次，利用4×4矩陣法和界面等效層理論，引入界面效應，模擬了(TbFeCo)100-xPrx磁性多層膜系統(tǒng)的磁光特性隨

2、入射角和磁性層厚度的變化以及混合界面層界面結構變化的關系，發(fā)現界面結構對結果有重要的影響?！　?.重點利用4×4矩陣法結合蒙特卡羅方法模擬顆粒膜的磁光科爾磁滯回線和磁電阻效應，模擬的磁光效應磁滯回線和巨磁電阻曲線與實驗結果吻合的很好?！　∈紫?，理論模擬VSM和MOKE效應測得的NixSiO2(1-x)顆粒膜的磁滯回線。結果表明，一般在傾斜入射的情況下，用磁光科爾效應測得的磁滯回線和用VSM測得的磁滯回線是有區(qū)別的，這種差別隨著入射角

3、的增大而增大；對于富Ni顆粒的強鐵磁性的薄膜，這種差別比弱磁性和復合磁性薄膜的要小?！　∑浯?，計算了CoxAg(1-x)顆粒膜的磁光科爾效應和巨磁電阻效應。模擬結果表明，各向異性作用和偶極相互作用對磁光科爾效應和巨磁電阻效應有顯著的影響；同時計算了CoxAg(1-x)顆粒膜的Kt，Kt在解釋磁性顆粒膜的巨磁電阻效應有很大的幫助?！　?.最后，基于蒙特卡羅模擬和網格電阻模型，研究了二維各向異性納米顆粒點陣的隧道磁電阻效應。模擬結果表明