用光電流譜研究鍺硅低維結(jié)構(gòu)及多孔硅多層膜結(jié)構(gòu)的光電特性.pdf

1、分別以鎖相放大器和傅立葉紅外光譜儀搭建兩套光電流測(cè)試系統(tǒng).利用這兩套系統(tǒng)對(duì)鍺硅低維量子結(jié)構(gòu)和多孔硅多層膜結(jié)構(gòu)的光電特性進(jìn)行了研究.1、測(cè)量了不同偏壓下的量子阱樣品的光電流譜,觀察到兩個(gè)光電流峰隨偏壓的變化情況,光電流峰A隨著正偏壓的增大發(fā)生藍(lán)移,把這兩個(gè)光電流峰和量子阱內(nèi)的子能帶的躍遷相聯(lián)系,建立能帶模型,對(duì)光電流峰的產(chǎn)生和隨偏壓的變化給出了很好的解釋;研究了量子阱樣品在帶邊附近(低能端)的光電流信號(hào)隨溫度變化,根據(jù)能帶機(jī)構(gòu),這部分光電

2、流信號(hào)的變化是由電子從硅的價(jià)帶向?qū)Я孔于遐宓椎能S遷引起的;同時(shí)利用構(gòu)建的系統(tǒng)測(cè)量得到量子點(diǎn)樣品的光電流譜隨偏壓的變化情況,并從光電流譜上觀察到量子點(diǎn)中的庫(kù)侖荷電效應(yīng).2、多孔硅微腔的吸收特性靈敏于有機(jī)分子(如油分子)在其孔表面的吸附,通過(guò)光電流譜的測(cè)試發(fā)現(xiàn)多孔硅微腔表面吸附大量的油分子會(huì)造成其吸收峰峰位的紅移,這將是多孔硅微腔成為新一代高性能的光電器件材料的勢(shì)壘;同時(shí)對(duì)"量子阱"多孔硅多層膜結(jié)構(gòu)的反射譜和光電流譜進(jìn)行研究,觀察到此結(jié)構(gòu)