硅鍺薄膜上低維結(jié)構(gòu)及PL光譜研究.pdf

1、本文用強(qiáng)激光直接輻照和弱激光輻照輔助電化學(xué)刻蝕方法在硅鍺合金薄膜上形成多種低維量子結(jié)構(gòu)。本文圍繞著兩個(gè)方面進(jìn)行研究：一是探討不同的實(shí)驗(yàn)條件，對形成低維量子結(jié)構(gòu)的影響；二是研究了低維量子結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的光致熒光譜，并分析其產(chǎn)生機(jī)制。研究發(fā)現(xiàn)： ⑴用強(qiáng)激光(功率為75W，波長為1064nm)直接輻照硅鍺樣品，激光散焦時(shí)會在硅鍺合金薄膜上形成鍺量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。激光聚焦時(shí)會在硅鍺薄膜上形成小孔結(jié)構(gòu)，并在孔內(nèi)形成片狀結(jié)構(gòu)。 ⑵用強(qiáng)度較弱的

2、激光(功率為20mW，輻照直徑為700um)輻照輻照電化學(xué)刻蝕5分鐘時(shí)，會在硅鍺合金薄膜上形成小孔及線狀結(jié)構(gòu)；當(dāng)電化學(xué)刻蝕10分鐘后，硅鍺合金薄膜會沿特定方向裂解；時(shí)間增加為15分鐘后，硅鍺合金薄膜會形成片狀結(jié)構(gòu)；當(dāng)時(shí)間增加到30分鐘后，我們發(fā)現(xiàn)硅鍺合金薄膜基本被剝離，在襯底上形成更深的多孔結(jié)構(gòu)。 ⑶利用熒光光譜儀，將樣品的低維納米結(jié)構(gòu)對應(yīng)的PL光譜進(jìn)行了定位表征。發(fā)現(xiàn)在鍺量子點(diǎn)和小孔內(nèi)的片狀結(jié)構(gòu)中有很強(qiáng)的PL光譜，峰位處于70