SiC并網(wǎng)逆變器傳導(dǎo)干擾特性和效率分析.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文開展SiC MOSFET器件對(duì)并網(wǎng)逆變器的EMC和轉(zhuǎn)換效率影響的研究。
　　在第一章中，介紹了SiC器件引入并網(wǎng)逆變器后對(duì)于EMI噪聲水平的影響，回顧已有的EMI噪聲源、噪聲傳導(dǎo)路徑的建模方法，以及逆變器EMC模型。此外還綜述了采用SiC器件改善并網(wǎng)逆變器效率和功率密度的相關(guān)研究工作。
　　第二章重點(diǎn)討論SiC逆變器EMC模型。通過分析SiC MOSFET的噪聲特性，引入了SiC MOSFET開關(guān)的噪聲源模型。用噪聲傳導(dǎo)

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