開關(guān)電源傳導(dǎo)干擾仿真分析.pdf

1、隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電磁兼容性的研究工作越來越受到人們的重視。本文主要就反激式開關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾進(jìn)行了仿真；對(duì)輻射干擾的特點(diǎn)進(jìn)行了分析。 以反激式開關(guān)電源為研究對(duì)象，綜述了開關(guān)電源產(chǎn)生傳導(dǎo)電磁干擾的干擾源和干擾傳播路徑。分析了電阻、電容、電感等元件的高頻特性，利用電阻、電容、電感、變壓器、MOSFET、二極管的高頻模型組建了仿真電路。分析了開關(guān)電源傳導(dǎo)干擾的產(chǎn)生及耦合路徑，根據(jù)干擾電流的大小和流動(dòng)的方向標(biāo)識(shí)出了干擾耦合的路徑。使

2、用PSpice軟件模擬仿真，對(duì)比分析了電壓器漏電感、散熱片對(duì)地電容、MOSFET寄生電容C<,gdo>、C<,gso>、二極管電容C<,jd>等參數(shù)對(duì)干擾大小的影響。開關(guān)管MOSFET在斷開時(shí)，會(huì)在變壓器漏感上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E=-L<,p>(di/dt)，疊加在變壓器繞組N<,p>的關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰。漏感越大電壓尖峰越高，震蕩波形的幅度越大，衰減需要的時(shí)間越長，干擾越嚴(yán)重。散熱片電容的大小對(duì)干擾大小影響很大，共模干擾主要是因

3、為很大的電壓跳變dv/dt使散熱片電容不斷充放電產(chǎn)生很大的干擾電流，散熱片電容越大干擾越嚴(yán)重。MOSFET寄生電容C<,gdo>小的MOGFET電壓變化率dV/dt大，干擾也就嚴(yán)重；反之，干擾就小一些。MOSFET的寄生電容C<,gso>、二極管的結(jié)電容C<,jd>對(duì)干擾的作用不大。最后參考其他文獻(xiàn)給出了抑制干擾常用的方法，這些工作對(duì)開關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)作用。 輻射干擾測(cè)試在電磁兼容中至關(guān)重要。本文在最后著重闡