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文檔簡介
1、隨著電子技術的發(fā)展,電磁兼容性的研究工作越來越受到人們的重視。本文主要就反激式開關電源的傳導干擾進行了仿真;對輻射干擾的特點進行了分析。 以反激式開關電源為研究對象,綜述了開關電源產生傳導電磁干擾的干擾源和干擾傳播路徑。分析了電阻、電容、電感等元件的高頻特性,利用電阻、電容、電感、變壓器、MOSFET、二極管的高頻模型組建了仿真電路。分析了開關電源傳導干擾的產生及耦合路徑,根據干擾電流的大小和流動的方向標識出了干擾耦合的路徑。使
2、用PSpice軟件模擬仿真,對比分析了電壓器漏電感、散熱片對地電容、MOSFET寄生電容C<,gdo>、C<,gso>、二極管電容C<,jd>等參數對干擾大小的影響。開關管MOSFET在斷開時,會在變壓器漏感上產生感應電動勢E=-L<,p>(di/dt),疊加在變壓器繞組N<,p>的關斷電壓上,形成關斷電壓尖峰。漏感越大電壓尖峰越高,震蕩波形的幅度越大,衰減需要的時間越長,干擾越嚴重。散熱片電容的大小對干擾大小影響很大,共模干擾主要是因
3、為很大的電壓跳變dv/dt使散熱片電容不斷充放電產生很大的干擾電流,散熱片電容越大干擾越嚴重。MOSFET寄生電容C<,gdo>小的MOGFET電壓變化率dV/dt大,干擾也就嚴重;反之,干擾就小一些。MOSFET的寄生電容C<,gso>、二極管的結電容C<,jd>對干擾的作用不大。最后參考其他文獻給出了抑制干擾常用的方法,這些工作對開關電源的電磁兼容性設計具有一定的指導作用。 輻射干擾測試在電磁兼容中至關重要。本文在最后著重闡
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