平均鍵能物理內(nèi)涵與肖特基勢壘和異質(zhì)結(jié)帶階的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文由五章組成,第1章介紹涉及該課題的研究背景和理論基礎,第2到5章研究內(nèi)容與結(jié)果的提要如下.第2章,研究自由電子能帶模型中的平均鍵能與費米級間的關(guān)系.對于Si、Ge、GaP、InP、AlAs、GaAs、InAs、AlSb、GsSb和InSb等10種面心立方半導體晶體和六角結(jié)構(gòu)的Ti、Zr、Hf、與體心四方的Sn等4種金屬晶體,將它們的價電子近似為自由電子.第3章,研究金屬能帶中的平均鍵能與費米能級間的關(guān)系.對于六角結(jié)構(gòu)(hcp)Ti

2、、Zr和Hf以及體心四方(btc)β-Sn等4種不同的金屬晶體,采用第一原理贗勢法計算它們的能帶結(jié)構(gòu),由價電子"電高填充態(tài)"確定其費米能級E<'ID><,F>,并計算其平均鍵能E<,m>值,探討E<,m>與E<'ID><,F>的關(guān)系.第4章,研究半導體能帶中平均健能的物理內(nèi)涵及其在肖特基勢壘和異質(zhì)結(jié)帶階理論計算中的應用.第5章,探討平均鍵能方法在應用變層異質(zhì)結(jié)帶階理論計算中的應用.該章以平均鍵能作為參考能級,對于應變層的平均帶階參數(shù)E<

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