ZnO納米線肖特基勢壘的電流飽和特性研究.pdf

1、近年來，半導(dǎo)體納米材料在晶體管、光電檢測器、傳感器等電學(xué)、光電學(xué)器件領(lǐng)域展現(xiàn)了廣闊的前景。n型半導(dǎo)體材料ZnO，帶隙寬(3.37 eV)，激子束縛能大(60 meV)，是一種重要光電材料。它的一維納米結(jié)構(gòu)在電學(xué)、光電學(xué)性質(zhì)方面得到了廣泛的研究，在電子和光電器件的構(gòu)造上也得到了快速發(fā)展。在眾多的納米器件類型中，肖特基器件具有很多優(yōu)勢。例如，與其他類型的光電檢測器相比，肖特基光電二極管展現(xiàn)了高響應(yīng)速度、低暗電流、高的光靈敏度等優(yōu)點(diǎn)。本文研究

2、了背靠背肖特基原型器件的一種獨(dú)特的電流飽和特性，在納米整流器件的發(fā)展方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。
　　第一章中，首先對一維半導(dǎo)體納米材料器件進(jìn)行了介紹。重點(diǎn)介紹了ZnO納米線肖特基器件的研究進(jìn)展，并以此為基礎(chǔ)，明確了本論文的研究內(nèi)容。
　　第二章中，我們采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在Si基底上合成了生長均勻一致的單晶纖鋅礦結(jié)構(gòu)ZnO納米線，熒光表征證明其表面存在豐富的氧缺陷表面態(tài)。
　　第三章中，我們探究了一種通過光學(xué)顯微

3、鏡定位，基于套刻但是操作更簡便的電子束曝光工藝。通過基于此工藝的電子束刻蝕技術(shù)成功地自下而上制備了ZnO納米線原型器件。在這過程中，通過實(shí)驗(yàn)摸索了合適的磁控濺射工藝參數(shù)，使Au電極與SiO2/Si基底較好地結(jié)合。并且研究了剝離工藝的最佳剝離方式。
　　第四章中，我們在常溫常壓下對構(gòu)筑的ZnO納米線肖特基原型器件樣品進(jìn)行電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)測試，發(fā)現(xiàn)很多器件樣品電流都在所加偏壓達(dá)到一定值后開始飽和，但這種飽和不同于傳統(tǒng)的反向飽和電流，我們通