摻鐵鈮酸鋰晶體的光致電荷遷移.pdf

1、鈮酸鋰晶體(LiNbO3，LN)具有較弱的光折變效應(yīng)。在LN晶體中摻入Fe2O3，生長出的摻鐵鈮酸鋰(Fe(:)LN)晶體具有優(yōu)異的光折變性能。這些優(yōu)良的性能使其成為最有前景的體全息存儲光折變材料之一。
　　 光折變效應(yīng)機(jī)理的研究是光折變材料用于實(shí)際器件的重要前提，對于摻鐵鈮酸鋰晶體的光折變效應(yīng)中光電子的遷移過程的研究，目前已建立了兩種電荷傳輸模型，一種是雙中心帶輸運(yùn)模型，一種是跳躍模型，兩種模型分別能解釋一些光折變現(xiàn)象，但所描

2、述的電荷遷移方式卻是完全不同的，無法確定到底哪一種模型更接近于光致電荷遷移的真實(shí)過程。針對這一問題，本論文的通過測量光電導(dǎo)的瞬態(tài)暗衰減特點(diǎn)，深入研究了摻鐵鈮酸鋰晶體的光致電荷遷移的微觀過程。
　　 本論文主要采用測量光電導(dǎo)瞬時衰減的方法研究了摻鐵鈮酸鋰晶體的光致電荷遷移過程。實(shí)驗(yàn)過程中，利用該晶體對光譜具有分波段吸收的特點(diǎn)，采用了恰當(dāng)波長和脈沖強(qiáng)度的脈沖激光器;根據(jù)摻鐵鈮酸鋰的電導(dǎo)值范圍，選擇合適的測量儀器來組建了實(shí)驗(yàn)平臺。并分

3、別在不同強(qiáng)度的脈沖光照射下依次對不同摻鐵濃度的樣品晶體進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，得到了大量真實(shí)有效的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，通過對實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析，初步得出了光電導(dǎo)的暗衰減特性。在此基礎(chǔ)上建立了光致電荷遷移模型，經(jīng)過理論推導(dǎo)出光致電荷遷移的過程方程，并將計算出的理論結(jié)果與不同條件下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對比分析，從而得出了本文結(jié)論。
　　 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，利用光電導(dǎo)的瞬時暗衰減法可以區(qū)分跳躍傳輸?shù)碾娮雍蛶鬏數(shù)碾娮拥倪w移方式。從對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析中可以得出以下結(jié)論:在