摻鉿鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)及其性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、從理論上來講，所有的光折變材料都可以寫入折射率相位光柵，都可用來制作三維體全息存儲(chǔ)器。但從商業(yè)應(yīng)用的角度考慮，目前鈮酸鋰(LiNb03,LN)晶體和摻雜LiNb03晶體是最適合制作大容量三維體全息存儲(chǔ)器的光折變材料。純鈮酸鋰晶體是一種很早就被人工合成的晶體材料，盡管存在著響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)、指數(shù)增益系數(shù)小和抗光損傷(光致散射)能力低等缺點(diǎn)，但因其具有一些其它光折變材料所不具備的優(yōu)點(diǎn)，從而使它成為制作三維體全息存儲(chǔ)器的首選材料。 國(guó)內(nèi)外大

2、量的研究表明:摻雜是提高LiNb03晶體抗光損傷能力的有效方法，而鉿的摻入對(duì)提高LiNb03晶體抗光損傷能力有十分明顯的作用。提高LiNbO3晶體的抗光損傷能力不僅具有實(shí)用價(jià)值，而且研究LiNb03晶體的抗光損傷機(jī)理還具有深遠(yuǎn)的理論意義。 本文采用Czochralski方法生長(zhǎng)了Hf:Ce:LiNb03和Hf:Ce:Cu:LiNb03晶體。通過X射線衍射(XRD)、光譜分析和差熱分析等方法分析了晶體的缺陷結(jié)構(gòu)和摻雜離子的取代機(jī)理

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