已閱讀1頁，還剩33頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、該文主要討論了二個(gè)方面的內(nèi)容:最子點(diǎn)形成時(shí)的Ge/Si界面互擴(kuò)散以及硼原子對Ge量子點(diǎn)自組織生長的影響.1.用拉曼光譜研究了外延的Ge層與Si襯底在Ge量子點(diǎn)形成過程中的Ge/Si界面互擴(kuò)散.我們用分子束外延生長了一層完全應(yīng)變的Ge層,退火形成Ge量子點(diǎn).實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)最子點(diǎn)沒有形成之前,Ge/Si界面的互擴(kuò)散很不明顯,最子點(diǎn)一旦形成界面的互擴(kuò)散變得很嚴(yán)重了,量子點(diǎn)的形成加劇了界面的互擴(kuò)散.2.研究了硼原子對Si(100)襯底上的Ge量子點(diǎn)自
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Si表面Ge量子點(diǎn)的MBE外延生長及其結(jié)構(gòu)表征.pdf
- 硅量子點(diǎn)的硼和磷摻雜.pdf
- 斜切襯底上GeSi量子點(diǎn)的固相外延生長及量子點(diǎn)的發(fā)光特性.pdf
- UHV-CVD系統(tǒng)自組裝生長Si基Ge量子點(diǎn).pdf
- SiGe量子點(diǎn)、量子環(huán)的MBE自組織生長.pdf
- InGaAs量子點(diǎn)可控生長研究.pdf
- Ⅱ-Ⅵ族量子點(diǎn)及光陽極形貌對量子點(diǎn)敏化太陽能電池性能的影響.pdf
- 多層耦合InAs量子點(diǎn)的生長及特性研究.pdf
- 基于量子點(diǎn)系統(tǒng)的量子計(jì)算研究.pdf
- ZnO及ZnMgO量子點(diǎn)的可控生長和性能研究.pdf
- 面向低維量子器件的自組裝InAs量子點(diǎn)的MOCVD生長及性能研究.pdf
- 聚合物量子點(diǎn)及DNA量子點(diǎn)的制備及其生物應(yīng)用.pdf
- 量子點(diǎn)量子阱結(jié)構(gòu)中的激子.pdf
- 硼摻雜石墨烯量子點(diǎn)的制備、熒光特性及分析應(yīng)用.pdf
- 量子點(diǎn)與量子位構(gòu)造.pdf
- 量子點(diǎn)半導(dǎo)體光放大器理論研究與InAs量子點(diǎn)工藝生長.pdf
- 量子點(diǎn)的制備方法
- mocvd兩步法生長gan量子點(diǎn)
- 水相中量子點(diǎn)的制備及基于量子點(diǎn)的熒光光譜編碼研究.pdf
- 低維材料上量子點(diǎn)的制備及量子輸運(yùn)研究.pdf
評論
0/150
提交評論