超低飛高硬盤磁頭運(yùn)行的仿真研究.pdf

1、垂直磁記錄的出現(xiàn)加速了硬盤存儲(chǔ)密度的增長(zhǎng)，為了保證磁頭讀取信息的正確性和穩(wěn)定性，磁頭與盤片之間的距離越來越小，已經(jīng)達(dá)到幾個(gè)納米的飛行高度。在這種超低飛高的狀態(tài)下，滑塊所受作用力的情況非常復(fù)雜。在此情況下，通過傳統(tǒng)的雷諾方程求解滑塊表面作用力變得極為復(fù)雜。因此對(duì)滑塊運(yùn)行的仿真研究具有重要的理論意義。
　　 分析滑塊表面形態(tài)對(duì)其運(yùn)行穩(wěn)定性的影響，具體分析滑塊所受作用力，指出不同作用力的表達(dá)方法并比較它們對(duì)滑塊穩(wěn)定性的影響。給出求解滑

2、塊表面作用力的頭盤系統(tǒng)模型，系統(tǒng)論述滑塊表面作用力分布。比較頭盤系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中常用的氣體薄膜潤(rùn)滑方程，分析表面調(diào)節(jié)系數(shù)在其中的作用，指出分析求解的局限性。對(duì)頭盤系統(tǒng)運(yùn)行過程進(jìn)行仿真，從頭盤系統(tǒng)的二維分析模型出發(fā)，劃分頭盤系統(tǒng)的仿真網(wǎng)格，模擬在頭盤系統(tǒng)中氣體分子的運(yùn)動(dòng)，計(jì)算分子間的碰撞，根據(jù)表面調(diào)節(jié)系數(shù)分別計(jì)算滑塊與盤片的分子反射，最后統(tǒng)計(jì)流場(chǎng)中氣體分子的宏觀參量，分析滑塊表面作用力分布情況。
　　 通過對(duì)比不同表面調(diào)節(jié)系數(shù)情況下的仿