硬盤磁頭的飛高微控相關(guān)技術(shù)研究.pdf

1、隨著磁記錄密度的提高，硬盤磁頭的飛高也越來越低。由于頭盤間距進(jìn)入了納米尺度，磁頭盤片系統(tǒng)間相互作用的傳統(tǒng)分析模型已經(jīng)失效，從而對(duì)超低飛高條件下的頭盤系統(tǒng)分析和實(shí)現(xiàn)技術(shù)帶來了挑戰(zhàn)。因?yàn)榧词故羌{米尺度的飛高損失也會(huì)對(duì)磁頭盤片系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性產(chǎn)生重大影響，它可能會(huì)促使滑塊和盤片接觸，從而造成磁頭讀寫失敗和數(shù)據(jù)損失，影響磁頭讀寫速度和精度。
　　 在磁頭的寫操作過程中，寫線圈通電產(chǎn)生的熱量及周圍環(huán)境的熱量會(huì)引起讀寫磁頭的熱膨脹，進(jìn)而

2、影響到頭盤界面中讀寫磁頭和盤片之間的距離。而讀操作是通過磁阻效應(yīng)讀取數(shù)據(jù)，不需要額外加電，不會(huì)引起磁頭的熱膨脹。為避免在寫操作過程中發(fā)生頭盤界面的碰撞，磁頭在讀操作過程中就必須維持一個(gè)充足的裕量，要飛的更高一點(diǎn)，這是當(dāng)前影響飛高進(jìn)一步降低的最大障礙。為解決這個(gè)問題，減少飛高損失，提出了一種飛高控制技術(shù)，即熱飛高控制滑塊。
　　 從熱飛高控制滑塊的基本結(jié)構(gòu)出發(fā)，結(jié)合磁頭盤片界面結(jié)構(gòu)，具體分析了微加熱器對(duì)熱飛高控制滑塊穩(wěn)定性的影響。

3、給出了熱飛高控制滑塊的有限元模型及仿真結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)論述了影響整個(gè)頭盤系統(tǒng)穩(wěn)定性的各種因素，如微加熱器的大小、微加熱器的加熱線圈的輸入電流，微加熱器與空氣軸承表面的距離等。對(duì)各種不同的影響因素作了具體分析，在仿真的基礎(chǔ)上分析了這些因素對(duì)整個(gè)頭盤系統(tǒng)的影響，并對(duì)微加熱器的加熱線圈進(jìn)行了研究。
　　 通過系統(tǒng)仿真，結(jié)果表明：增加微加熱器的輸入電流可以帶來更好的加熱性能，降低飛高，但熱響應(yīng)時(shí)間卻并沒有明顯的降低；減小微加熱器與空氣軸承表面