CdS半導(dǎo)體及鐵氧化物納米材料制備探索.pdf

1、形貌可控半導(dǎo)體納米材料的合成是近年來(lái)納米材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。γ-射線輻射法是制備可控形貌半導(dǎo)體納米材料簡(jiǎn)單而有效的一種方法。本文利用<'60>Co γ-射線輻射技術(shù)，常溫常壓下成功地制備了分散性和均一性良好的CdS納米球，并在此基礎(chǔ)上，成功合成了CdS@SiO<,2>核殼結(jié)構(gòu)，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了初步研究。本論文研究工作的另一個(gè)重點(diǎn)，利用并發(fā)展了LSS(Liquid-Solid-Solution)相轉(zhuǎn)移法，成功合成了α-Fe<,2>

2、O<,3>，F(xiàn)e<,3>O<,4>等多種磁性納米粒子，并對(duì)形成最終產(chǎn)物的影響因素進(jìn)行了初步探討，闡述了可能的反應(yīng)機(jī)制。具體的研究?jī)?nèi)容總結(jié)如下： 1.常溫常壓下，通過(guò)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，利用γ-射線輻照CdCl<,2>，Na<,2>S<,2>O<,3>和PVP水溶液體系，成功地得到了單分散性的CdS納米球(Nanoballs)，其直徑約為80nm。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，輻射總劑量、劑量率等對(duì)CdS納米球粒徑影響不大。同時(shí)，利用制得的CdS納米球，在不加

3、其它偶聯(lián)劑的情況下，通過(guò)TEOS水解得到了CdS@SiO<,2>核殼結(jié)構(gòu)；進(jìn)一步研究表明，可以通過(guò)調(diào)整體系中的TEOS和氨水的含量，很方便地控制SiO<,2>殼層厚度。此外，我們利用紫外吸收光譜(UV)和熒光光譜(PL)對(duì)CdS@SiO<,2>核殼樣品的光學(xué)性能進(jìn)行了初步研究，結(jié)果表明：與未包裹的CdS納米球相比，CdS@SiO<,2>核殼樣品的熒光性能得到了增強(qiáng)。 2.對(duì) LSS 相轉(zhuǎn)移途徑合成磁性納米鐵氧化物進(jìn)行了探索研究。