2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、高自旋極化率的材料由于其在自旋電子學(xué)方面的潛在應(yīng)用,近年來(lái)受到科學(xué)家們的廣泛關(guān)注。Fe3O4由于其高的居里溫度、100%的自旋極化率和金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變,有望應(yīng)用在自旋電子學(xué)器件中,因此備受科學(xué)家們的關(guān)注。Fe3O4材料的制備工藝、磁性以及電輸運(yùn)性質(zhì)的研究也成為了凝聚態(tài)物理的研究熱點(diǎn)。本文首先采用超薄陽(yáng)極氧化鋁模板和激光分子束外延沉積技術(shù)制備了Fe3O4薄膜與納米點(diǎn)陣列,并對(duì)樣品的巨磁矩來(lái)源以及點(diǎn)陣特有的性質(zhì)進(jìn)行了探討;其次采用激光分子束

2、外延沉積技術(shù)將Fe3O4薄膜沉積在La0.7Ca0.3MnO3表面,構(gòu)成復(fù)合結(jié)構(gòu),研究了Fe3O4薄膜對(duì)不同厚度的La0.7Ca0.3MnO3薄膜金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度的影響。主要研究?jī)?nèi)容如下:
  (1)采用激光分子束外延沉積技術(shù)制備了不同沉積溫度和不同厚度的Fe3O4薄膜。系統(tǒng)的研究了沉積溫度和厚度對(duì)Fe3O4薄膜結(jié)構(gòu)、磁學(xué)和輸運(yùn)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明:低溫有利于二維層狀生長(zhǎng),但結(jié)晶度較差;高溫傾向于三維島狀生長(zhǎng),但取向較差。綜合

3、薄膜結(jié)構(gòu)和磁性測(cè)試結(jié)果,600℃為最佳沉積溫度。飽和磁化強(qiáng)度的大小受薄膜厚度的影響非常大。以15 nm為分水嶺,低于15 nm時(shí),薄膜厚度越小飽和磁化強(qiáng)度越大,3 nm時(shí)達(dá)到1017 emu/cm3;高于15 nm時(shí),飽和磁強(qiáng)度接近塊體的飽和磁化強(qiáng)度值。結(jié)合結(jié)構(gòu)、磁學(xué)以及輸運(yùn)結(jié)果,通過(guò) X射線磁圓二色譜結(jié)果得到,F(xiàn)e3O4超薄膜的巨磁矩來(lái)源于Fe離子的自旋翻轉(zhuǎn):即四面體間隙內(nèi)的Fe3+的自旋方向與八面體間隙內(nèi)的Fe離子的自旋方向由反平行

4、變?yōu)槠叫小?br> ?。?)采用超薄陽(yáng)極氧化鋁模板輔助激光分子束外延沉積技術(shù)制備了Fe3O4納米點(diǎn)陣列。結(jié)果表明:納米點(diǎn)陣列表現(xiàn)出了與薄膜不同的性質(zhì)。通過(guò)磁性測(cè)量我們發(fā)現(xiàn),納米點(diǎn)陣列的飽和磁化強(qiáng)度與薄膜相比變小了,這可能是由于納米點(diǎn)表面的電子自旋傾斜造成的;薄膜表現(xiàn)為面內(nèi)易磁化,而對(duì)于納米點(diǎn)陣列,隨著納米點(diǎn)直徑的減小,各向異性逐漸減弱,這可能是由于磁滯伸縮、形狀各向異性能和磁晶各向異性能減小所引起的;與此同時(shí),其矯頑力也逐漸減小,說(shuō)明薄

5、膜與大直徑的點(diǎn)陣的磁化翻轉(zhuǎn)機(jī)制為疇壁移動(dòng),而點(diǎn)陣直徑較小的點(diǎn)陣列的磁化翻轉(zhuǎn)機(jī)制為一致翻轉(zhuǎn);當(dāng)點(diǎn)陣直徑減小到40 nm的時(shí)候,Verwey轉(zhuǎn)變消失,這可能是因?yàn)榧{米點(diǎn)內(nèi)部的電子跳躍能量勢(shì)壘小于納米點(diǎn)之間的隧穿勢(shì)壘,造成電子跳躍的長(zhǎng)程序阻斷。
 ?。?)采用激光分子束外延沉積技術(shù)制備了La0.7Ca0.3MnO3單層薄膜以及Fe3O4/La0.7Ca0.3MnO3復(fù)合結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明:隨著厚度逐漸增大,在相同的外加磁場(chǎng)下,La0.7Ca

6、0.3MnO3單層薄膜的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度逐漸升高,并且表現(xiàn)出了很強(qiáng)的磁電阻效應(yīng)。對(duì)于20 nm厚的La0.7Ca0.3MnO3單層薄膜,在外加磁場(chǎng)為5 T下,磁電阻率達(dá)到1600%。覆蓋Fe3O4薄膜以后,以20 nm為例,在0 T外場(chǎng)下的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度從160 K提高到200 K,而且,其磁電阻率幾乎沒(méi)有受到影響,在外加磁場(chǎng)為5 T下,磁電阻率依然可以達(dá)到1500%。根據(jù)覆蓋Fe3O4薄膜之前和之后的La0.7Ca0.3Mn

7、O3薄膜的電阻和飽和磁化強(qiáng)度的變化,我們認(rèn)為位于Fe3O4下方的Mn離子與Fe3O4薄膜中的Fe離子發(fā)生了反鐵磁耦合作用,使得Fe3O4/La0.7Ca0.3MnO3復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變溫度得到了提高。
  總之,我們制備了Fe3O4超薄膜,發(fā)現(xiàn)了巨磁矩現(xiàn)象,并對(duì)其產(chǎn)生的物理機(jī)制進(jìn)行了分析;并且首次制備了Fe3O4納米點(diǎn)陣列,對(duì)其結(jié)構(gòu)以及磁性與相應(yīng)的薄膜進(jìn)行了比較與分析。我們成功利用Fe3O4超薄膜與La0.7Ca0.3Mn

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