200MHz以下脈沖電磁環(huán)境測試場強(qiáng)探頭的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、變電站隔離開關(guān)動作產(chǎn)生的電磁騷擾對于變電站內(nèi)使用的智能設(shè)備的影響越來越大,對于智能設(shè)備的電磁兼容性有了更加嚴(yán)格的要求。本課題主要工作在于研制一種用于200MHz以下脈沖電磁環(huán)境測試場強(qiáng)探頭,以用于變電站或類似脈沖環(huán)境電場測試。
  首先基于EMTP模型對變電站隔離開關(guān)模型進(jìn)行仿真分析,研究變電站暫態(tài)電磁環(huán)境的特點。確定測試用場強(qiáng)探頭的基本參數(shù)(包括頻率范圍,動態(tài)范圍,響應(yīng)時間等)。
  對實驗室已有瞬態(tài)電磁環(huán)境測試天線做進(jìn)一

2、步研究,以提高它在200MHz以下的靈敏度和動態(tài)范圍,擴(kuò)展低頻響應(yīng)。計算整個電路的傳輸參數(shù)和場強(qiáng)探頭的理論測量場強(qiáng)極限值。討論不同的桿長(30mm~100mm)和分壓電容(0~100pF)對整個場強(qiáng)探頭接收特性的影響。對整個信號傳輸電路部分進(jìn)行測試,實測電路的3dB使用帶寬2kHz~300MHz。場強(qiáng)探頭在頻率2kHz~300MHz頻率范圍內(nèi),無分壓電容時,可對0.3 mV/m~17.5 V/m范圍內(nèi)的瞬態(tài)場進(jìn)行測量,動態(tài)范圍D=105

3、.11dB;分壓電容為20pF時,能對0.75mV/m~41V/m的場強(qiáng)進(jìn)行測量,動態(tài)范圍D=109.94dB。
  最后,研究場強(qiáng)探頭頻域和時域校準(zhǔn)方法。頻域校準(zhǔn)通過TEM小室產(chǎn)生的均勻場對場強(qiáng)探頭在500Hz~400MHz的頻率范圍進(jìn)行校準(zhǔn),得出場強(qiáng)探頭的復(fù)天線系數(shù),即天線系數(shù)的實部與虛部。時域校準(zhǔn)基于系統(tǒng)辨識的方法,根據(jù)系統(tǒng)辨識原理,通過實測場強(qiáng)探頭對方波脈沖的響應(yīng),建立場強(qiáng)探頭傳遞函數(shù)模型,分析場強(qiáng)探頭幅頻、相頻特性以及時

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